中文摘要 本实验在发展时间解析之光致电流显微术於半导体元件，我们使用脉冲雷射..雷射 共焦显微镜及RF Lock-in Amplifier等仪器，以及利用飞行时间式电荷传导量测系 统(Time-of-Flight)量测载子在半导体锗的速率(drift velocity)，藉此了解载子 在半导体的传输特性。 在实验中我们是利用脉冲雷射双光子激发的特性来激发半导体元件，半导体产生电 子-电洞对後，在电场的驱使下使其中一种载子飘向电极端，产生一暂态光电流， 由RF Lock-in Amplifier我们可量测半导体上各点暂态光电流流向电极的相位延迟 ，由此我们可以决定飞行时间法中所产生的暂态电流之时间长度，而由扫描图形上 的比例尺来决定距离长度，之於上述二者我们可以获得载子在半导体上的漂移速率 (drift velocity)。 --

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