※ 引述《Vencol (Vencol)》之銘言： : : 8.下列何者非兩性 : : (A)HSO4^(-1) (B)H2PO4^(-1) (C)HPO4^(-2) (D)H2O (E)以上皆兩性 : : 我的想法應該是可當酸或鹼，D不用說，C不是完全解離所以可以看情況捕獲H+， : : B在更酸的情況應該也可以當鹼，而A的ka2印象中只有10^(-11)已經當不成酸了。 : 可當酸可當鹼 = 兩性 修改一下會好一點 : 應該是 "能跟酸反應也能跟鹼反應" 定義會完整一點 : 如果這題是單選題的話 我想C的Ka Kb 會比較有可議空間 我記錯了Orz 我不知道在哪邊看到硫酸的Ka2有10的-11次方之低，害我被誤導 這樣C的Ka低到很難解離，所以是C沒錯 : : 13.加入45J熱進入系統，系統對外做10J功，接著以冷卻、壓縮恢復初始狀態，何者為是? : : (A)ΔH<ΔE (B)壓縮與膨脹時做的功相等 (C)ΔH=70J (D)ΔE=0 : : ΔE=0應該沒錯，因為恢復初始狀態，但忘記ΔH怎麼算了(遮臉) : ΔH也不是路徑函數阿 他是狀態函數 照算就好了 這個我等一下再仔細算看看 : : 15.下列何者正確 : : (A)所有真實反應都不可逆 (B)可逆熱力學反應進行速度無限快 : : (C)在可逆反應中，系統狀態函數遠大於環境中的狀態函數 (D)可逆反應的熱流失到 : : 環境的量大於unharnessed one (E) 以上皆是 : : 熱力學基礎有點不好有點沒頭緒，但感覺應該都對，D的意思其實不太懂 : A 不確定 我明確知道的定義只有 "所有自發反應皆不可逆" : 所有真實反應都不可逆 我不太確定 : B 有這種事? : C 我覺得應該要加上 "變化量的絕對值" 這個條件才會對 : D 不予置評 完全看不懂題目再問啥.. orz A我有查到波茲曼提到巨觀的熱力學反應不可逆，因為大量分子碰撞後損失的能量不可 能完全復原 B我就真的不知道不是瞬間了orz D的原文"There are always more heat given off to the surroundings in a reversi- ble process than in an unharnessed one" 還是說意思是拿孤立跟非獨立系統比較? : : 25.下列何者敘述正確 : : (A)水熔化需要放熱來打破晶體結構 (B)氫鍵能量大於共價鍵 (C)水密度小於冰 : : (D)水熔化時只有共價鍵被打破 (E)以上皆錯 : : 氫鍵能量大於共價鍵..? 查到是小於共價鍵 : A 要打破晶體結構 需要吸熱 而且應該是冰吧? : B 氫鍵能量小於共價鍵 因為他只是比較強的凡德瓦力 : 鍵能還是小於金屬鍵 共價鍵 & 離子鍵 : C 水密度大於冰 所以冰能浮於水上 : D 冰融化不會有共價鍵被打斷 這是一個物理反應 : 如果將共價鍵給打斷 那等於是牽扯到化學反應 因為會有電子的轉移 : 應該是打斷 "氫鍵" 才對 打破水分子跟水分子間的凡打瓦作用力 : 讓他們之間的距離變大 : 這題我會選E 嗯..是冰，共價鍵的強度某些情況下甚至會大於離子鍵 : : 26.理想溶液符合 I.PV=nRT II.符合拉午耳定律 III.溶劑-溶劑 溶劑-溶質 溶質-溶質 : : 間的力幾乎相等 IV.與III相反(吸引力非常不同) : : 我知道2跟3一定有，那PV=nRT...? 如果P是滲透壓我知道一定對，但如果改成氣壓...? : 理想溶液 ? 改成氣壓? 其實我不太懂妳意思 因為他在這邊只寫PV=nRT，如果要刁鑽一點的話我可以說這個P是氣壓，是理想氣體 方程式而不是凡特荷夫方程式，這樣嚴格說起來他就不一定遵守PV=nRT了吧 (因為理想溶液與理想氣體之間的定義不同) : : 28.關於錯合物何者有錯? : : (A)金屬是路易士鹼，配位物是路易士酸 (B)自然界只找得到配位數6的錯合物 : : (C)八面體中配位物最慢與dz dxy dyz的軌域作用 (D)以上皆錯 (E)以上皆是 : : B C都不確定 C不確定有沒有理解錯誤 : B錯了 例如說 前幾篇再討論的 MnF4 2- Mn(H2O)6 2+ : 前者就是配位數 = 4的錯合物 : C 你要打得是 dxz? 還是 dz^2? 是dxz沒錯，打錯了QQ : : 29.下列過渡金屬何者在八面體low spin與high spin沒有分別 : : (A)Cr(2+) (B)V(2+) (C)Co(3+) (D)Mn(2+) (E)Ni(3+) : : 畫一畫好像只有Ni到第二層.. 這題不確定判斷法也不一定有理解對意思 : 在這邊在示範一次 low spin high spin 是怎麼排法 : ____ ____ 1 2 : ____ ____ ____ 3 4 5 : 如果是 low spin d4 : 他排法 應該是 3 4 5 3 : 這樣 他不會先排入較高的能階 會先填具相等能量 但以有電子填入之軌域 : 因為他的 pairing energy (使電子成對的能量) < spliting energy (開裂能 , : 即為能階間的能量) 所以電子優先成對而不先填上上層的軌域 : 再舉個例 low spin d7 : 他排法應該是 3 4 5 3 4 5 1 : 那如果是 high spin d4呢? : 他排法應該是 3 4 5 1 : 這樣她會先排入較高的能階而不先填 具有等能量但以有電子填入之軌域 : 因為他的 pairing energy (使電子成對的能量) > spliting ebergy (開裂能 , : 即為能階間的能量) 所以電子優先填上上層軌域而不先成對 : 再舉個例 high spin d7 : 他排法應該是 3 4 5 1 2 3 4 : 回到原本這題 : (A)Cr(2+) (B)V(2+) (C)Co(3+) (D)Mn(2+) (E)Ni(3+) : A Cr 2+ 有 4個 d軌域電子 所以會考慮到要先成對 還是先填上層 : low spin , high spin 會影響 : B V 2+ 有 3個 d軌域電子 一定會先排滿三個半滿的下層d軌域 : low spin , high spin 不影響 : C Co 3+ 有 6個 d軌域電子 所以會考慮到要先成對 還是先填上層 : low spin , high spin 會影響 : D Mn 2+ 有 5個 d軌域電子 所以會考慮到要先成對 還是先填上層 : low spin , high spin 會影響 : E Ni 3+ 有 7個 d軌域電子 所以會考慮到要先成對 還是先填上曾 : low spin , high spin 會影響 : 其實這提出這樣還算有良心 如果把 B 改成 Ni 2+ 就有趣了 : 他有8個電子 看似會影響 : 但是妳實際用 high spin , low spin排法去排 會發覺兩種排法結果會一樣 : 有興趣可以試試 嗯.. 這樣我就了解他題目的意思了，畫出來也明顯就是B 謝謝V大講得這麼詳細Q_Q --

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