※ 引述《o810418 (Septet)》之銘言： : 這份是化學系考卷(編號9) : 1~5 CDEED : 6~10 DBABE : 11~15 CDDAE : 16~20 DCAAB : 21~25 DABEE : 26~30 CDAEE : 正答率可能不太高(不確定的就一堆了)，希望有寫的人一起討論一下 : 黃色標上的是不確定的題目，順便附上 : 紅色是查過後有錯修正的 : 8.下列何者非兩性 : (A)HSO4^(-1) (B)H2PO4^(-1) (C)HPO4^(-2) (D)H2O (E)以上皆兩性 : 我的想法應該是可當酸或鹼，D不用說，C不是完全解離所以可以看情況捕獲H+， : B在更酸的情況應該也可以當鹼，而A的ka2印象中只有10^(-11)已經當不成酸了。 可當酸可當鹼 = 兩性 修改一下會好一點 應該是 "能跟酸反應也能跟鹼反應" 定義會完整一點 如果這題是單選題的話 我想C的Ka Kb 會比較有可議空間 : 12.下列何者敘述錯誤 : (A)ΔE=qv，constant volume (B)ΔH=qp，constant pressure (C)bomb calorimeter : 能精準測量ΔH (D)如果qp為負，反應放熱 (E)水結冰是放熱反應 : ※bomb calorimeter is a type of constant-volume calorimeter : bomb calorimeter顯然是測Cv dT(Q)不是測Cp dT(ΔH)的東西..也就是C錯了 bomb calorimeter (彈卡記)測得是 "定容狀態" 下的 "反應熱" : 13.加入45J熱進入系統，系統對外做10J功，接著以冷卻、壓縮恢復初始狀態，何者為是? : (A)ΔH<ΔE (B)壓縮與膨脹時做的功相等 (C)ΔH=70J (D)ΔE=0 : ΔE=0應該沒錯，因為恢復初始狀態，但忘記ΔH怎麼算了(遮臉) ΔH也不是路徑函數阿 他是狀態函數 照算就好了 : 14.氣體定溫下進行不可逆膨脹，功的值為? : (A)W<0 (B)W=0 (C)W>0 (D)條件不夠 : 不可逆膨脹忘記是不是自由膨脹，所以不知道是A還是B : ※應該是A沒錯，不可逆跟自不自由無關..(看到前面的討論) 應該說 不可逆像一個圓圈 自由指是裡面的一個小圈圈 算是一部分 但並不完全相等 所以選A無誤 : 15.下列何者正確 : (A)所有真實反應都不可逆 (B)可逆熱力學反應進行速度無限快 : (C)在可逆反應中，系統狀態函數遠大於環境中的狀態函數 (D)可逆反應的熱流失到 : 環境的量大於unharnessed one (E) 以上皆是 : 熱力學基礎有點不好有點沒頭緒，但感覺應該都對，D的意思其實不太懂 A 不確定 我明確知道的定義只有 "所有自發反應皆不可逆" 所有真實反應都不可逆 我不太確定 B 有這種事? C 我覺得應該要加上 "變化量的絕對值" 這個條件才會對 D 不予置評 完全看不懂題目再問啥.. orz : 25.下列何者敘述正確 : (A)水熔化需要放熱來打破晶體結構 (B)氫鍵能量大於共價鍵 (C)水密度小於冰 : (D)水熔化時只有共價鍵被打破 (E)以上皆錯 : 氫鍵能量大於共價鍵..? 查到是小於共價鍵 A 要打破晶體結構 需要吸熱 而且應該是冰吧? B 氫鍵能量小於共價鍵 因為他只是比較強的凡德瓦力 鍵能還是小於金屬鍵 共價鍵 & 離子鍵 C 水密度大於冰 所以冰能浮於水上 D 冰融化不會有共價鍵被打斷 這是一個物理反應 如果將共價鍵給打斷 那等於是牽扯到化學反應 因為會有電子的轉移 應該是打斷 "氫鍵" 才對 打破水分子跟水分子間的凡打瓦作用力 讓他們之間的距離變大 這題我會選E : 26.理想溶液符合 I.PV=nRT II.符合拉午耳定律 III.溶劑-溶劑 溶劑-溶質 溶質-溶質 : 間的力幾乎相等 IV.與III相反(吸引力非常不同) : 我知道2跟3一定有，那PV=nRT...? 如果P是滲透壓我知道一定對，但如果改成氣壓...? 理想溶液 ? 改成氣壓? 其實我不太懂妳意思 : 28.關於錯合物何者有錯? : (A)金屬是路易士鹼，配位物是路易士酸 (B)自然界只找得到配位數6的錯合物 : (C)八面體中配位物最慢與dz dxy dyz的軌域作用 (D)以上皆錯 (E)以上皆是 : B C都不確定 C不確定有沒有理解錯誤 B錯了 例如說 前幾篇再討論的 MnF4 2- Mn(H2O)6 2+ 前者就是配位數 = 4的錯合物 C 你要打得是 dxz? 還是 dz^2? : 29.下列過渡金屬何者在八面體low spin與high spin沒有分別 : (A)Cr(2+) (B)V(2+) (C)Co(3+) (D)Mn(2+) (E)Ni(3+) : 畫一畫好像只有Ni到第二層.. 這題不確定判斷法也不一定有理解對意思 在這邊在示範一次 low spin high spin 是怎麼排法 ____ ____ 1 2 ____ ____ ____ 3 4 5 如果是 low spin d4 他排法 應該是 3 4 5 3 這樣 他不會先排入較高的能階 會先填具相等能量 但以有電子填入之軌域 因為他的 pairing energy (使電子成對的能量) < spliting energy (開裂能 , 即為能階間的能量) 所以電子優先成對而不先填上上層的軌域 再舉個例 low spin d7 他排法應該是 3 4 5 3 4 5 1 那如果是 high spin d4呢? 他排法應該是 3 4 5 1 這樣她會先排入較高的能階而不先填 具有等能量但以有電子填入之軌域 因為他的 pairing energy (使電子成對的能量) > spliting ebergy (開裂能 , 即為能階間的能量) 所以電子優先填上上層軌域而不先成對 再舉個例 high spin d7 他排法應該是 3 4 5 1 2 3 4 回到原本這題 (A)Cr(2+) (B)V(2+) (C)Co(3+) (D)Mn(2+) (E)Ni(3+) A Cr 2+ 有 4個 d軌域電子 所以會考慮到要先成對 還是先填上層 low spin , high spin 會影響 B V 2+ 有 3個 d軌域電子 一定會先排滿三個半滿的下層d軌域 low spin , high spin 不影響 C Co 3+ 有 6個 d軌域電子 所以會考慮到要先成對 還是先填上層 low spin , high spin 會影響 D Mn 2+ 有 5個 d軌域電子 所以會考慮到要先成對 還是先填上層 low spin , high spin 會影響 E Ni 3+ 有 7個 d軌域電子 所以會考慮到要先成對 還是先填上曾 low spin , high spin 會影響 其實這提出這樣還算有良心 如果把 B 改成 Ni 2+ 就有趣了 他有8個電子 看似會影響 但是妳實際用 high spin , low spin排法去排 會發覺兩種排法結果會一樣 有興趣可以試試 --

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