作者Vencol (Vencol)
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标题Re: [化学] 99年成大化学 对答案/提问
时间Mon Jun 25 13:15:20 2012
※ 引述《o810418 (Septet)》之铭言:
: 这份是化学系考卷(编号9)
: 1~5 CDEED
: 6~10 DBABE
: 11~15 CDDAE
: 16~20 DCAAB
: 21~25 DABEE
: 26~30 CDAEE
: 正答率可能不太高(不确定的就一堆了),希望有写的人一起讨论一下
: 黄色标上的是不确定的题目,顺便附上
: 红色是查过後有错修正的
: 8.下列何者非两性
: (A)HSO4^(-1) (B)H2PO4^(-1) (C)HPO4^(-2) (D)H2O (E)以上皆两性
: 我的想法应该是可当酸或硷,D不用说,C不是完全解离所以可以看情况捕获H+,
: B在更酸的情况应该也可以当硷,而A的ka2印象中只有10^(-11)已经当不成酸了。
可当酸可当硷 = 两性 修改一下会好一点
应该是 "能跟酸反应也能跟硷反应" 定义会完整一点
如果这题是单选题的话 我想C的Ka Kb 会比较有可议空间
: 12.下列何者叙述错误
: (A)ΔE=qv,constant volume (B)ΔH=qp,constant pressure (C)bomb calorimeter
: 能精准测量ΔH (D)如果qp为负,反应放热 (E)水结冰是放热反应
: ※bomb calorimeter is a type of constant-volume calorimeter
: bomb calorimeter显然是测Cv dT(Q)不是测Cp dT(ΔH)的东西..也就是C错了
bomb calorimeter (弹卡记)测得是 "定容状态" 下的 "反应热"
: 13.加入45J热进入系统,系统对外做10J功,接着以冷却、压缩恢复初始状态,何者为是?
: (A)ΔH<ΔE (B)压缩与膨胀时做的功相等 (C)ΔH=70J (D)ΔE=0
: ΔE=0应该没错,因为恢复初始状态,但忘记ΔH怎麽算了(遮脸)
ΔH也不是路径函数阿 他是状态函数 照算就好了
: 14.气体定温下进行不可逆膨胀,功的值为?
: (A)W<0 (B)W=0 (C)W>0 (D)条件不够
: 不可逆膨胀忘记是不是自由膨胀,所以不知道是A还是B
: ※应该是A没错,不可逆跟自不自由无关..(看到前面的讨论)
应该说 不可逆像一个圆圈 自由指是里面的一个小圈圈
算是一部分 但并不完全相等
所以选A无误
: 15.下列何者正确
: (A)所有真实反应都不可逆 (B)可逆热力学反应进行速度无限快
: (C)在可逆反应中,系统状态函数远大於环境中的状态函数 (D)可逆反应的热流失到
: 环境的量大於unharnessed one (E) 以上皆是
: 热力学基础有点不好有点没头绪,但感觉应该都对,D的意思其实不太懂
A 不确定 我明确知道的定义只有 "所有自发反应皆不可逆"
所有真实反应都不可逆 我不太确定
B 有这种事?
C 我觉得应该要加上 "变化量的绝对值" 这个条件才会对
D 不予置评 完全看不懂题目再问啥.. orz
: 25.下列何者叙述正确
: (A)水熔化需要放热来打破晶体结构 (B)氢键能量大於共价键 (C)水密度小於冰
: (D)水熔化时只有共价键被打破 (E)以上皆错
: 氢键能量大於共价键..? 查到是小於共价键
A 要打破晶体结构 需要吸热 而且应该是冰吧?
B 氢键能量小於共价键 因为他只是比较强的凡德瓦力
键能还是小於金属键 共价键 & 离子键
C 水密度大於冰 所以冰能浮於水上
D 冰融化不会有共价键被打断 这是一个物理反应
如果将共价键给打断 那等於是牵扯到化学反应 因为会有电子的转移
应该是打断 "氢键" 才对 打破水分子跟水分子间的凡打瓦作用力
让他们之间的距离变大
这题我会选E
: 26.理想溶液符合 I.PV=nRT II.符合拉午耳定律 III.溶剂-溶剂 溶剂-溶质 溶质-溶质
: 间的力几乎相等 IV.与III相反(吸引力非常不同)
: 我知道2跟3一定有,那PV=nRT...? 如果P是渗透压我知道一定对,但如果改成气压...?
理想溶液 ? 改成气压? 其实我不太懂你意思
: 28.关於错合物何者有错?
: (A)金属是路易士硷,配位物是路易士酸 (B)自然界只找得到配位数6的错合物
: (C)八面体中配位物最慢与dz dxy dyz的轨域作用 (D)以上皆错 (E)以上皆是
: B C都不确定 C不确定有没有理解错误
B错了 例如说 前几篇再讨论的 MnF4 2- Mn(H2O)6 2+
前者就是配位数 = 4的错合物
C 你要打得是 dxz? 还是 dz^2?
: 29.下列过渡金属何者在八面体low spin与high spin没有分别
: (A)Cr(2+) (B)V(2+) (C)Co(3+) (D)Mn(2+) (E)Ni(3+)
: 画一画好像只有Ni到第二层.. 这题不确定判断法也不一定有理解对意思
在这边在示范一次 low spin high spin 是怎麽排法
____ ____ 1 2
____ ____ ____ 3 4 5
如果是 low spin d4
他排法 应该是 3 4 5 3
这样 他不会先排入较高的能阶 会先填具相等能量 但以有电子填入之轨域
因为他的 pairing energy (使电子成对的能量) < spliting energy (开裂能 ,
即为能阶间的能量) 所以电子优先成对而不先填上上层的轨域
再举个例 low spin d7
他排法应该是 3 4 5 3 4 5 1
那如果是 high spin d4呢?
他排法应该是 3 4 5 1
这样她会先排入较高的能阶而不先填 具有等能量但以有电子填入之轨域
因为他的 pairing energy (使电子成对的能量) > spliting ebergy (开裂能 ,
即为能阶间的能量) 所以电子优先填上上层轨域而不先成对
再举个例 high spin d7
他排法应该是 3 4 5 1 2 3 4
回到原本这题
(A)Cr(2+) (B)V(2+) (C)Co(3+) (D)Mn(2+) (E)Ni(3+)
A Cr 2+ 有 4个 d轨域电子 所以会考虑到要先成对 还是先填上层
low spin , high spin 会影响
B V 2+ 有 3个 d轨域电子 一定会先排满三个半满的下层d轨域
low spin , high spin 不影响
C Co 3+ 有 6个 d轨域电子 所以会考虑到要先成对 还是先填上层
low spin , high spin 会影响
D Mn 2+ 有 5个 d轨域电子 所以会考虑到要先成对 还是先填上层
low spin , high spin 会影响
E Ni 3+ 有 7个 d轨域电子 所以会考虑到要先成对 还是先填上曾
low spin , high spin 会影响
其实这提出这样还算有良心 如果把 B 改成 Ni 2+ 就有趣了
他有8个电子 看似会影响
但是你实际用 high spin , low spin排法去排 会发觉两种排法结果会一样
有兴趣可以试试
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