韓國SK海力士開發高效能HBM3E技術，推動AI技術創新 https://bit.ly/3syk6Iv 韓國SK海力士(SK Hynix)宣布成功開發了超高性能DRAM新產品HBM3E，為目前為止最高規 格的AI應用DRAM，且已將樣品提供給客戶進行性能評估。這一重大突破將推動人工智慧（ AI）技術的創新，並為產業帶來前所未有的性能表現。新一代HBM3E技術的開發，不僅鞏 固SK海力士在AI記憶體市場的領先地位，更將成為推動 AI 技術創新的重要引擎。 高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory，簡稱 HBM）在現今的 GPU 顯示記憶體中扮演著 關鍵角色，特別是在資料中心的 GPU 中廣泛應用。HBM 的特點之一是相較於傳統的 DDR/GDDR記憶體，有更小的尺寸和更高的效率，且能夠實現更高的資料傳輸頻寬。 HBM封裝內部採用3D堆疊技術，堆疊多層記憶體裸晶，並透過矽穿孔（TSV）和微凸塊銲錫 （microbump）進行連接。HBM 控制器邏輯裸晶位於堆疊的下方，並透過矽中介層（ silicon interposer）與 CPU/GPU 等核心元件互相連接。這種結構是透過讓CPU/GPU 和 記憶體間有更多的連接接觸點，實現比傳統記憶體更大的資料傳輸頻寬。 HBM3E是一種高價值和高性能的記憶技術，通過垂直互連多個記憶體，增加接觸點和縮短 傳輸距離，大幅提高了資料處理速度。SK海力士的HBM3E為HBM3的擴展版本，繼承了HBM、 HBM2、HBM2E和HBM3等前代技術。根據官方的公告指出，SK海力士計劃從2024年上半年開 始大量生產HBM3E，透過早期投入市場策略以鞏固其在AI記憶體市場的領先地位。 HBM3E不僅在速度方面表現出色，其資料處理速度高達1.15 TB/秒，相當於每秒處理超過 230部5GB大小的Full HD的影像資料。在散熱的問題解決方案上，HBM3E採用了MR-MUF2技 術，提高10%記憶體性能，而好的散熱解方案上對於高效能計算和大型資料處理至關重要 。當然，HBM3E的高容量、優越的散熱能力使其成為AI應用的理想選擇。 MR-MUF技術（Mass Reflow Molded Underfill）技術為什麼有著更好的散熱能力呢？因為 MR-MUF技術透過在晶片堆疊中填充液體材料，增加熱傳導的接觸面積以實現更好的熱傳導 效能，並提供了結構的穩定性和可靠度。因為MF-MUF技術填補了晶片間的不規則形狀的空 隙，同時有助於機械支撐和散熱。換言之，這一項技術有利於高效能記憶體晶片的堆疊應 用。此外，HBM3E也具備向後兼容性，這意味著它可以應用於舊有HBM3系統上，無需進行 設計或結構修改。 目前SK海力士的合作夥伴NVIDIA和HPC Computing已表示出對於與SK海力士在高頻寬記憶 方面的合作有很高的期待，期待透過HBM3E推出下一代的AI運算產品。同時，SK海力士的 記憶體產品計劃負責人表示，透過HBM3E的開發，也將進一步增強其在AI技術中的市場領 先地位，並將透過提供高價值HBM產品的供應市佔實現業務扭轉。 --

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