韩国SK海力士开发高效能HBM3E技术，推动AI技术创新 https://bit.ly/3syk6Iv 韩国SK海力士(SK Hynix)宣布成功开发了超高性能DRAM新产品HBM3E，为目前为止最高规 格的AI应用DRAM，且已将样品提供给客户进行性能评估。这一重大突破将推动人工智慧（ AI）技术的创新，并为产业带来前所未有的性能表现。新一代HBM3E技术的开发，不仅巩 固SK海力士在AI记忆体市场的领先地位，更将成为推动 AI 技术创新的重要引擎。 高频宽记忆体（High Bandwidth Memory，简称 HBM）在现今的 GPU 显示记忆体中扮演着 关键角色，特别是在资料中心的 GPU 中广泛应用。HBM 的特点之一是相较於传统的 DDR/GDDR记忆体，有更小的尺寸和更高的效率，且能够实现更高的资料传输频宽。 HBM封装内部采用3D堆叠技术，堆叠多层记忆体裸晶，并透过矽穿孔（TSV）和微凸块焊锡 （microbump）进行连接。HBM 控制器逻辑裸晶位於堆叠的下方，并透过矽中介层（ silicon interposer）与 CPU/GPU 等核心元件互相连接。这种结构是透过让CPU/GPU 和 记忆体间有更多的连接接触点，实现比传统记忆体更大的资料传输频宽。 HBM3E是一种高价值和高性能的记忆技术，通过垂直互连多个记忆体，增加接触点和缩短 传输距离，大幅提高了资料处理速度。SK海力士的HBM3E为HBM3的扩展版本，继承了HBM、 HBM2、HBM2E和HBM3等前代技术。根据官方的公告指出，SK海力士计划从2024年上半年开 始大量生产HBM3E，透过早期投入市场策略以巩固其在AI记忆体市场的领先地位。 HBM3E不仅在速度方面表现出色，其资料处理速度高达1.15 TB/秒，相当於每秒处理超过 230部5GB大小的Full HD的影像资料。在散热的问题解决方案上，HBM3E采用了MR-MUF2技 术，提高10%记忆体性能，而好的散热解方案上对於高效能计算和大型资料处理至关重要 。当然，HBM3E的高容量、优越的散热能力使其成为AI应用的理想选择。 MR-MUF技术（Mass Reflow Molded Underfill）技术为什麽有着更好的散热能力呢？因为 MR-MUF技术透过在晶片堆叠中填充液体材料，增加热传导的接触面积以实现更好的热传导 效能，并提供了结构的稳定性和可靠度。因为MF-MUF技术填补了晶片间的不规则形状的空 隙，同时有助於机械支撑和散热。换言之，这一项技术有利於高效能记忆体晶片的堆叠应 用。此外，HBM3E也具备向後兼容性，这意味着它可以应用於旧有HBM3系统上，无需进行 设计或结构修改。 目前SK海力士的合作夥伴NVIDIA和HPC Computing已表示出对於与SK海力士在高频宽记忆 方面的合作有很高的期待，期待透过HBM3E推出下一代的AI运算产品。同时，SK海力士的 记忆体产品计划负责人表示，透过HBM3E的开发，也将进一步增强其在AI技术中的市场领 先地位，并将透过提供高价值HBM产品的供应市占实现业务扭转。 --

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