[link] http://www.xfastest.com/thread-84410-1-1.html 在使用 30nm 級別工藝量產 2GB LPDDR2 記憶體模組的一年之後 三星開始了 30nm 級別工藝 2GB LPDDR3 記憶體模組的量產 這款 LPDDR3 記憶體模組的工作頻率為 1600MHz 比同級別工藝 LPDDR2 模組還要快 50% 理論資料傳輸速率可達 12.8GB/s，非常適合用在智慧手機或平板電腦等移動設備上 這款記憶體模組是通過 4 塊 4Gb LPDDR3 記憶體晶片封裝而成，總容量為 2GB 雖然傳統 PC 例如桌上型電腦和筆記型電腦等產品作用不大 但是對智慧手機和平板電腦來說就非常有用 意味著只需一塊晶片即可提供 2GB 的記憶體 從現有的發展趨勢來說，智慧手機和平板電腦的記憶體容量很快就會達到 2GB 的水準 除此之外，三星亦開始量產 128GB 的 NAND 快閃記憶體模組 同樣使用 30nm 級別工藝並通過多晶片封裝而成 主要針對的仍然是智慧手機與平板電腦領域 縱觀目前整個移動設備領域，特別是智慧手機與平板電腦領域 只有部分旗艦級產品會提供 64GB 的內置存儲空間，能配置更高容量的產品基本不存在 三星這次量產 128GB NAND 快閃記憶體模組則為未來的新旗艦打下了“超大容量”的基礎 既然三星已經量產 30nm 級別 2GB LPDDR3 記憶體模組和 128GB NAND 快閃記憶體模組 那麼預計在 MWC 2013 大會上露面的 Galaxy S IV 手機 是不是會具備 2GB 記憶體和 128GB 的存儲容量呢？ ====================================================================== 2G RAM 內建 128G...恩.... -- ~宅男的四個徵兆~ ∠□ ○ ！ * \○/ ★ 　　 (○ ？ ╦╦└□ " ○□═ □ 　　□> ║║√√ ╦══╦ ∥ 　 　|\ 一回家就上PTT 每天想正妹 以當好人為樂 忘記正妹虧欠自己 --

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