[link] http://www.xfastest.com/thread-84410-1-1.html 在使用 30nm 级别工艺量产 2GB LPDDR2 记忆体模组的一年之後 三星开始了 30nm 级别工艺 2GB LPDDR3 记忆体模组的量产 这款 LPDDR3 记忆体模组的工作频率为 1600MHz 比同级别工艺 LPDDR2 模组还要快 50% 理论资料传输速率可达 12.8GB/s，非常适合用在智慧手机或平板电脑等移动设备上 这款记忆体模组是通过 4 块 4Gb LPDDR3 记忆体晶片封装而成，总容量为 2GB 虽然传统 PC 例如桌上型电脑和笔记型电脑等产品作用不大 但是对智慧手机和平板电脑来说就非常有用 意味着只需一块晶片即可提供 2GB 的记忆体 从现有的发展趋势来说，智慧手机和平板电脑的记忆体容量很快就会达到 2GB 的水准 除此之外，三星亦开始量产 128GB 的 NAND 快闪记忆体模组 同样使用 30nm 级别工艺并通过多晶片封装而成 主要针对的仍然是智慧手机与平板电脑领域 纵观目前整个移动设备领域，特别是智慧手机与平板电脑领域 只有部分旗舰级产品会提供 64GB 的内置存储空间，能配置更高容量的产品基本不存在 三星这次量产 128GB NAND 快闪记忆体模组则为未来的新旗舰打下了“超大容量”的基础 既然三星已经量产 30nm 级别 2GB LPDDR3 记忆体模组和 128GB NAND 快闪记忆体模组 那麽预计在 MWC 2013 大会上露面的 Galaxy S IV 手机 是不是会具备 2GB 记忆体和 128GB 的存储容量呢？ ====================================================================== 2G RAM 内建 128G...恩.... -- ~宅男的四个徵兆~ ∠□ ○ ！ * \○/ ★ 　　 (○ ？ ╦╦└□ " ○□═ □ 　　□> ║║√√ ╦══╦ ∥ 　 　|\ 一回家就上PTT 每天想正妹 以当好人为乐 忘记正妹亏欠自己 --

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