原文標題： 美國加強對先進DRAM製程設備管制 為台廠留下更多空間 原文連結： https://www.ctee.com.tw/news/20250326700025-431307 發布時間： 2025.03.26 02:55 記者署名： 2025.03.26 02:55 工商時報 產業分析 原文內容： 鄭凱安／資策會MIC產業顧問 美國在2024年12月宣布第三輪對中國大陸高階晶片與製程設備的出口管制，其中包含針對 先進的動態隨機存取記憶體（DRAM）提出的定義調整，藉此加強對先進記憶體晶片相關製 程設備與技術的管制。這項出口管制大幅的限制了中國大陸記憶體業者在先進DRAM產品的 產能擴張，無疑為面臨中國大陸業者持續擴大DRAM產能與市占威脅的臺廠爭取到更多空間 ，從而建立臺廠對中國大陸記憶體業者在先進DRAM產品的競爭優勢。 ■ 中國大陸記憶體產業發展迅速，威脅主流市場，成為美國出口管制關注重點 中國大陸自2014年制定《國家集成電路產業發展推進綱要》後，成立《國家積體電路產業 投資基金》（簡稱大基金），規劃以市場投資扶植半導體產業，其中記憶體國產化亦是重 點策略之一。在政策與資金支持下，中國大陸本土記憶體產業開始發展，2016年起多家記 憶體業者成立，投入廠房建置與研發，包含主攻DRAM的晉華集成（JHICC）、長鑫存儲（ CXMT）與主攻快閃（Flash）記憶體的長江存儲（YMTC），各自於2018年至2019年間展開 投片試產，並陸續在2020年起推出產品。 中國大陸記憶體產業的發展一開始就產品鎖定主流記憶體，目標是達成關鍵記憶體自產自 用。根據國際半導體產業協會（SEMI）的統計資料，DRAM業者中，位於安徽的長鑫存儲在 2021年第四季的技術能力已達到19奈米技術節點，位於福建的晉華集成也達到25奈米技術 節點，已具備普遍生產主流第四代雙倍資料同步（DDR4）DRAM產品的能力，而長鑫存儲已 開始著手研發第五代雙倍資料同步（DDR5）DRAM產品，即將威脅到如美商Micron Technology等主流記憶體領導業者。 為確保在先進半導體晶片的影響力與話語權，美國開始將可用於製造先進DRAM產品的半導 體製程設備納入出口管制。2022年10月，美國宣布將18奈米以下製程的DRAM製程設備納入 對中國大陸的出口管制，目的即為阻止中國大陸業者採購設備擴大產能，限制中國大陸發 展DDR5或更高階的DRAM產品。 ■中國大陸記憶體廠以成熟製程技術節點製作高階DRAM，試圖規避美國管制 美國的管制並未遏阻中國大陸積極發展自製DRAM的腳步。在2022年底，中國大陸政府宣布 對本土半導體製造產能擴建進行補貼，並開始籌組大基金第三期，繼續投資半導體產業。 記憶體業者如長鑫存儲與晉華集成紛紛投入產線擴建，使中國大陸本土記憶體產能在短期 內大幅增長。根據SEMI統計，長鑫存儲的月產能由2022年底的8.5萬片12吋晶圓，快速增 長至2024年底的17.4萬片，而晉華集成的產能也從2022年底的1.9萬片提升至2024年底的 5.6萬片。 就技術節點與產品而言，長鑫存儲主要產品為19奈米技術節點製作的DDR4產品，晉華集成 則採用20~25奈米技術節點製作容量較低的DDR4。另一方面，長鑫存儲也並未放棄先進 DRAM產品的開發，已開始生產DDR5，對外宣稱採用18.1奈米技術節點，規避美國製程設備 出口管制的意圖明顯。 有鑑於此，美國於2024年12月再度更新出口管制相關規定，在其中針對先進DRAM提出新的 定義，不再以18奈米以下技術節點作為管制範圍，而是改以DRAM的儲存容量作為判斷基準 ，將儲存單元面積小於「0.0026μm2」，或單位面積記憶體容量大於「0.288Gb/mm2」者 認定為先進DRAM，從而管制相關製程設備，藉此防堵中國大陸以較大線寬技術節點生產先 進DRAM。 ■ 台廠受惠於美國先進DRAM管制，宜加速建立對中國大陸記憶體廠競爭優勢 美國2024年新公布的出口管制措施預期將限制中國大陸記憶體業者在DDR5或更先進DRAM產 品的產能增長。對台廠而言，在當前面臨中國大陸DRAM產能與市占快速擴張的壓力下，中 國大陸發展先進DRAM受阻將為台廠創造出新的轉進空間。 從技術節點能力對比，長鑫存儲與南亞科技相當，都具備17奈米技術節點製程能力，而晉 華集成則於華邦電子相當，具備20~25奈米技術節點製程能力，但產能方面，2023年起南 亞科技與華邦電子就已落後於長鑫存儲與晉華集成，預期未來幾年中國大陸業者產能仍將 持續擴張，顯現出臺廠在DDR4產品市場已漸失去競爭優勢。 因此展望未來，台廠雖面對中國大陸業者產能快速增長的競爭壓力，仍可基於過去客戶的 合作信任，以及協助客戶Design-in的客製化經驗，繼續深耕利基型DDR4產品應用。另一 方面，台廠也應繼續投入技術研發，掌握DDR5等更先進DRAM產品製程技術，在主流大廠逐 步由DDR5量產轉向DDR5X、DDR6等更先進DRAM產品之後，承接DDR5產品利基市場，以期擺 脫與中國大陸記憶體業者在DDR4的紅海競爭。 目前南亞科技已開始啟用17奈米等級的1B製程，並著手開發下一世代的1C製程，其16GB的 DDR5產品已於2024年第四季起送樣，預計2025年逐步導入量產。華邦電子方面，2023年初 導入20奈米製程後，繼續投入16奈米製程的開發，預計在2025年底或2026年送樣。期盼台 廠能藉美國加強對中國大陸DRAM製程設備出口管制的東風，加速建立對中國大陸記憶體業 者的技術優勢。 心得/評論： 美國去年12月對大陸宣布出口管制，其中包含了針對先進的動態隨機存取記憶體 （DRAM）提出的定義調整，藉此加強美國隊先進記憶體晶片相關製程設備與技術的管制 這限制大幅限制了大陸對先進DRAM產品的擴張 也讓台灣能增加更多的競爭優勢，台廠只要能趁大陸被限制的時候快速發展 也許DRAM廠還有些活路 --

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