原文标题： 美国加强对先进DRAM制程设备管制 为台厂留下更多空间 原文连结： https://www.ctee.com.tw/news/20250326700025-431307 发布时间： 2025.03.26 02:55 记者署名： 2025.03.26 02:55 工商时报 产业分析 原文内容： 郑凯安／资策会MIC产业顾问 美国在2024年12月宣布第三轮对中国大陆高阶晶片与制程设备的出口管制，其中包含针对 先进的动态随机存取记忆体（DRAM）提出的定义调整，藉此加强对先进记忆体晶片相关制 程设备与技术的管制。这项出口管制大幅的限制了中国大陆记忆体业者在先进DRAM产品的 产能扩张，无疑为面临中国大陆业者持续扩大DRAM产能与市占威胁的台厂争取到更多空间 ，从而建立台厂对中国大陆记忆体业者在先进DRAM产品的竞争优势。 ■ 中国大陆记忆体产业发展迅速，威胁主流市场，成为美国出口管制关注重点 中国大陆自2014年制定《国家集成电路产业发展推进纲要》後，成立《国家积体电路产业 投资基金》（简称大基金），规划以市场投资扶植半导体产业，其中记忆体国产化亦是重 点策略之一。在政策与资金支持下，中国大陆本土记忆体产业开始发展，2016年起多家记 忆体业者成立，投入厂房建置与研发，包含主攻DRAM的晋华集成（JHICC）、长鑫存储（ CXMT）与主攻快闪（Flash）记忆体的长江存储（YMTC），各自於2018年至2019年间展开 投片试产，并陆续在2020年起推出产品。 中国大陆记忆体产业的发展一开始就产品锁定主流记忆体，目标是达成关键记忆体自产自 用。根据国际半导体产业协会（SEMI）的统计资料，DRAM业者中，位於安徽的长鑫存储在 2021年第四季的技术能力已达到19奈米技术节点，位於福建的晋华集成也达到25奈米技术 节点，已具备普遍生产主流第四代双倍资料同步（DDR4）DRAM产品的能力，而长鑫存储已 开始着手研发第五代双倍资料同步（DDR5）DRAM产品，即将威胁到如美商Micron Technology等主流记忆体领导业者。 为确保在先进半导体晶片的影响力与话语权，美国开始将可用於制造先进DRAM产品的半导 体制程设备纳入出口管制。2022年10月，美国宣布将18奈米以下制程的DRAM制程设备纳入 对中国大陆的出口管制，目的即为阻止中国大陆业者采购设备扩大产能，限制中国大陆发 展DDR5或更高阶的DRAM产品。 ■中国大陆记忆体厂以成熟制程技术节点制作高阶DRAM，试图规避美国管制 美国的管制并未遏阻中国大陆积极发展自制DRAM的脚步。在2022年底，中国大陆政府宣布 对本土半导体制造产能扩建进行补贴，并开始筹组大基金第三期，继续投资半导体产业。 记忆体业者如长鑫存储与晋华集成纷纷投入产线扩建，使中国大陆本土记忆体产能在短期 内大幅增长。根据SEMI统计，长鑫存储的月产能由2022年底的8.5万片12寸晶圆，快速增 长至2024年底的17.4万片，而晋华集成的产能也从2022年底的1.9万片提升至2024年底的 5.6万片。 就技术节点与产品而言，长鑫存储主要产品为19奈米技术节点制作的DDR4产品，晋华集成 则采用20~25奈米技术节点制作容量较低的DDR4。另一方面，长鑫存储也并未放弃先进 DRAM产品的开发，已开始生产DDR5，对外宣称采用18.1奈米技术节点，规避美国制程设备 出口管制的意图明显。 有监於此，美国於2024年12月再度更新出口管制相关规定，在其中针对先进DRAM提出新的 定义，不再以18奈米以下技术节点作为管制范围，而是改以DRAM的储存容量作为判断基准 ，将储存单元面积小於「0.0026μm2」，或单位面积记忆体容量大於「0.288Gb/mm2」者 认定为先进DRAM，从而管制相关制程设备，藉此防堵中国大陆以较大线宽技术节点生产先 进DRAM。 ■ 台厂受惠於美国先进DRAM管制，宜加速建立对中国大陆记忆体厂竞争优势 美国2024年新公布的出口管制措施预期将限制中国大陆记忆体业者在DDR5或更先进DRAM产 品的产能增长。对台厂而言，在当前面临中国大陆DRAM产能与市占快速扩张的压力下，中 国大陆发展先进DRAM受阻将为台厂创造出新的转进空间。 从技术节点能力对比，长鑫存储与南亚科技相当，都具备17奈米技术节点制程能力，而晋 华集成则於华邦电子相当，具备20~25奈米技术节点制程能力，但产能方面，2023年起南 亚科技与华邦电子就已落後於长鑫存储与晋华集成，预期未来几年中国大陆业者产能仍将 持续扩张，显现出台厂在DDR4产品市场已渐失去竞争优势。 因此展望未来，台厂虽面对中国大陆业者产能快速增长的竞争压力，仍可基於过去客户的 合作信任，以及协助客户Design-in的客制化经验，继续深耕利基型DDR4产品应用。另一 方面，台厂也应继续投入技术研发，掌握DDR5等更先进DRAM产品制程技术，在主流大厂逐 步由DDR5量产转向DDR5X、DDR6等更先进DRAM产品之後，承接DDR5产品利基市场，以期摆 脱与中国大陆记忆体业者在DDR4的红海竞争。 目前南亚科技已开始启用17奈米等级的1B制程，并着手开发下一世代的1C制程，其16GB的 DDR5产品已於2024年第四季起送样，预计2025年逐步导入量产。华邦电子方面，2023年初 导入20奈米制程後，继续投入16奈米制程的开发，预计在2025年底或2026年送样。期盼台 厂能藉美国加强对中国大陆DRAM制程设备出口管制的东风，加速建立对中国大陆记忆体业 者的技术优势。 心得/评论： 美国去年12月对大陆宣布出口管制，其中包含了针对先进的动态随机存取记忆体 （DRAM）提出的定义调整，藉此加强美国队先进记忆体晶片相关制程设备与技术的管制 这限制大幅限制了大陆对先进DRAM产品的扩张 也让台湾能增加更多的竞争优势，台厂只要能趁大陆被限制的时候快速发展 也许DRAM厂还有些活路 --

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