作者astushi ()
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標題Re: [新聞] 震撼！ 特斯拉減用碳化矽
時間Sun Mar 5 19:54:50 2023
※ 引述《fastenjoe (肥勝)》之銘言：
: 內行人看門道，外行人看熱鬧，果然跟我們想的一樣，使用SiC MOSFET並聯IGBT的hybr
id
: https://technews.tw/2023/03/03/trench-sic-misfet-may-play-the-key-role-in-th
e-
: -----
: Sent from JPTT on my iPhone
這看起來像是ROHM的solution
https://myppt.cc/Q0ygm
Body diode改成SiC SBD的IGBT
看起來特性跟全SiC的MOSFET會天差地遠，但應付650V需求是比CoolMOS好一些
按照使用方式，這是OBC用的，應該不是充電樁用的吧？
https://i.imgur.com/i2eERwo.jpg
https://i.imgur.com/8MloOad.jpg
不過齁，100 kHz下效率有97%，這好像判GaN 650V用在OBC死刑了。如此效率與價格，GaN
完全沒優勢啊…
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※ 文章網址: https://webptt.com/m.aspx?n=bbs/Stock/M.1678017293.A.CED.html
1F：推 s844012 : 講太專業，直接講對哪一家廠商有優勢 03/05 19:59
2F：→ astushi : 我是不知道台廠有誰在做SiC SBD, 但做IGBT的不少， 03/05 20:03
3F：→ astushi : 應該都有機會。不過這市場目前還很小，說因為Tesla 03/05 20:03
4F：→ astushi : 的一個轉換會讓某些公司瞬間大賺我是覺得不至於， 03/05 20:03
5F：→ astushi : 但要小心某些廠商一直都在佈局SiC的，未來可能不是 03/05 20:03
6F：→ astushi : 那麼看好 03/05 20:03
7F：推 truelove356 : 那wolfspeed 不就gg 了？ 03/05 20:09
8F：→ astushi : 我覺得不至於，inverter還是得用SiC MOSFET。Tesla 03/05 20:19
9F：→ astushi : 說的這個應該只限於OBC, 廠商會少吃到一塊沒錯，但 03/05 20:19
10F：→ astushi : 不至於崩盤。要投機的話，趕快查誰有做SiC SBD, 不 03/05 20:19
11F：→ astushi : 過我猜那個利潤很低。是我我會查Tesla的這個solutio 03/05 20:19
12F：→ astushi : n封裝找誰做的，因為SiC SBD跟IGBT並聯，勢必要解決 03/05 20:19
13F：→ astushi : 散熱沒有全SiC好的問題，看起來Tesla是有解決這個 03/05 20:19
14F：→ astushi : 問題才敢回去用 03/05 20:19
15F：→ astushi : 自回，新聞寫的是要拿來用在inverter上，這還真是 03/05 20:29
16F：→ astushi : 黑科技了。這封裝廠或封裝IP一定發大財 03/05 20:29
17F：推 MIT5566 : 封裝有限制就從外部散熱模組下手啊 power mos都馬要 03/05 20:33
18F：推 nangaluchen : 反正有個結論是肯定的 SiC的用量成長將低於預期 03/05 20:33
19F：→ nangaluchen : 受害最深的 肯定是二三線的台廠和中國廠 03/05 20:33
20F：→ MIT5566 : 靠外部散熱 03/05 20:33
21F：→ nangaluchen : 特別是台灣那幾家小的 夢直接沒了 03/05 20:34
22F：推 enemyli : 台灣的本來就是炒個話題而已 哪有差 03/05 20:36
24F：噓 JessVeron : 現在sic比重那麼低 對廠商哪有差 ～ 03/05 20:44
25F：→ astushi : 就我所知台灣要做SiC因為沒磊晶技術，所以利潤硬是 03/05 20:49
26F：→ astushi : 比國外低很多。那個磊晶太難了，不是買一樣的爐子就 03/05 20:49
27F：→ astushi : 能做到，要改機。台灣要追上恐怕短時間內難 03/05 20:49
28F：→ astushi : 回Jess大，我也是這樣覺得，在台灣這個領域市場才 03/05 20:50
29F：→ astushi : 剛開始，很小。 03/05 20:50
30F：→ x5533007 : 危機就是股價的轉機 03/05 20:50
31F：推 Shepherd1987: IGBT頻率上不去, GaN + SiC摻在一起做撒尿牛丸才是 03/05 20:55
32F：→ Shepherd1987: 正解 03/05 20:55
33F：推 towe77 : 第一行不就寫ROHM了 不然去報虎門的那些課直接看 03/05 21:59
35F：→ astushi : 沒啊。Tesla沒說他是怎麼做的，我是看到新聞內容提 03/05 22:50
36F：→ astushi : 到hybrid, 想到ROHM的solution才又去翻ROHM的網頁 03/05 22:50
37F：→ astushi : 來看。也很有可能Tesla的黑科技比這更厲害也說不定 03/05 22:50