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※ 引述《fastenjoe (肥胜)》之铭言: : 内行人看门道,外行人看热闹,果然跟我们想的一样,使用SiC MOSFET并联IGBT的hybr id : https://technews.tw/2023/03/03/trench-sic-misfet-may-play-the-key-role-in-th e- : ----- : Sent from JPTT on my iPhone 这看起来像是ROHM的solution https://myppt.cc/Q0ygm Body diode改成SiC SBD的IGBT 看起来特性跟全SiC的MOSFET会天差地远,但应付650V需求是比CoolMOS好一些 按照使用方式,这是OBC用的,应该不是充电桩用的吧? https://i.imgur.com/i2eERwo.jpg https://i.imgur.com/8MloOad.jpg 不过齁,100 kHz下效率有97%,这好像判GaN 650V用在OBC死刑了。如此效率与价格,GaN 完全没优势啊… --



※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 42.73.52.13 (台湾)
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Stock/M.1678017293.A.CED.html
1F:推 s844012 : 讲太专业,直接讲对哪一家厂商有优势 03/05 19:59
2F:→ astushi : 我是不知道台厂有谁在做SiC SBD, 但做IGBT的不少, 03/05 20:03
3F:→ astushi : 应该都有机会。不过这市场目前还很小,说因为Tesla 03/05 20:03
4F:→ astushi : 的一个转换会让某些公司瞬间大赚我是觉得不至於, 03/05 20:03
5F:→ astushi : 但要小心某些厂商一直都在布局SiC的,未来可能不是 03/05 20:03
6F:→ astushi : 那麽看好 03/05 20:03
7F:推 truelove356 : 那wolfspeed 不就gg 了? 03/05 20:09
8F:→ astushi : 我觉得不至於,inverter还是得用SiC MOSFET。Tesla 03/05 20:19
9F:→ astushi : 说的这个应该只限於OBC, 厂商会少吃到一块没错,但 03/05 20:19
10F:→ astushi : 不至於崩盘。要投机的话,赶快查谁有做SiC SBD, 不 03/05 20:19
11F:→ astushi : 过我猜那个利润很低。是我我会查Tesla的这个solutio 03/05 20:19
12F:→ astushi : n封装找谁做的,因为SiC SBD跟IGBT并联,势必要解决 03/05 20:19
13F:→ astushi : 散热没有全SiC好的问题,看起来Tesla是有解决这个 03/05 20:19
14F:→ astushi : 问题才敢回去用 03/05 20:19
15F:→ astushi : 自回,新闻写的是要拿来用在inverter上,这还真是 03/05 20:29
16F:→ astushi : 黑科技了。这封装厂或封装IP一定发大财 03/05 20:29
17F:推 MIT5566 : 封装有限制就从外部散热模组下手啊 power mos都马要 03/05 20:33
18F:推 nangaluchen : 反正有个结论是肯定的 SiC的用量成长将低於预期 03/05 20:33
19F:→ nangaluchen : 受害最深的 肯定是二三线的台厂和中国厂 03/05 20:33
20F:→ MIT5566 : 靠外部散热 03/05 20:33
21F:→ nangaluchen : 特别是台湾那几家小的 梦直接没了 03/05 20:34
22F:推 enemyli : 台湾的本来就是炒个话题而已 哪有差 03/05 20:36
23F:→ FatFatQQ : https://i.imgur.com/Y5a8l2U.jpg 03/05 20:42
24F:嘘 JessVeron : 现在sic比重那麽低 对厂商哪有差 ~ 03/05 20:44
25F:→ astushi : 就我所知台湾要做SiC因为没磊晶技术,所以利润硬是 03/05 20:49
26F:→ astushi : 比国外低很多。那个磊晶太难了,不是买一样的炉子就 03/05 20:49
27F:→ astushi : 能做到,要改机。台湾要追上恐怕短时间内难 03/05 20:49
28F:→ astushi : 回Jess大,我也是这样觉得,在台湾这个领域市场才 03/05 20:50
29F:→ astushi : 刚开始,很小。 03/05 20:50
30F:→ x5533007 : 危机就是股价的转机 03/05 20:50
31F:推 Shepherd1987: IGBT频率上不去, GaN + SiC掺在一起做撒尿牛丸才是 03/05 20:55
32F:→ Shepherd1987: 正解 03/05 20:55
33F:推 towe77 : 第一行不就写ROHM了 不然去报虎门的那些课直接看 03/05 21:59
34F:→ astushi : https://i.imgur.com/SfwxOCO.jpg 03/05 22:48
35F:→ astushi : 没啊。Tesla没说他是怎麽做的,我是看到新闻内容提 03/05 22:50
36F:→ astushi : 到hybrid, 想到ROHM的solution才又去翻ROHM的网页 03/05 22:50
37F:→ astushi : 来看。也很有可能Tesla的黑科技比这更厉害也说不定 03/05 22:50







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