上游-矽材純化 進入障礙:高，其技術門檻高、資本投入大，建廠時間需2至4年，未來回收充滿不確定性 前景: 寡佔市場慢慢消失，主因新提煉法不斷開出，來自中韓的new entrants將成為 未來矽價的另一破壞者。 台灣: 極度缺乏發展，但已有許多廠商著手研發，成果未知；目前瑞晶已有小量產出， 後續密切觀察。 主流之矽原料純化方式比較: 1. 西門子法:原理為三氯矽烷裂解+鐘型氫氣反應爐，冶金級矽(99%)轉換成三氯矽甲烷/ 矽烷，經過氣化，氣體於1150度(攝氏)高溫吹入高純度多晶矽棒，氣體分 解後將純多晶矽沈積在金屬棒上。 技術成熟且純度高(9N以上)，但高溫高壓危險，且耗電量很大，成本也較 高(45-60USD/KG)。 代表廠商: Hemlock、Wacker、REC、Tokuyama 2. 流體床反應爐法(FBR): 治金級矽製成的氣態矽烷/三氯矽甲烷在高速下通過含多晶矽 粒的反應爐內，氣體便分解為矽與氫，再沈積於矽粒上。 其耗電量較低、沈積率較高且製程效率較佳，最重要的是成本 約25~30USD/KG；然目前的矽純度尚不理想，約在7N左右，加 上複雜的製程，投入廠商並不多 代表廠商: MEMC、REC、AE Poly、(Wacker) 3. 冶金法(UMG): 又稱物理法，冶金級矽定向凝固後濃縮，分離熔解部份雜質後再截斷。 優點在於成本低(10~20KG)、建廠前置時間較短；但產品純度較低，僅 有5N，通常要與較高純度之多晶矽混合才能使用，且目前技術未成熟， 微量雜質去除難度相當高。 代表廠商: 日本川崎製鐵已量產(供貨給Sharp)，中美俄等科學研究室 亦在努力研發中。 上游-矽晶圓 進入障礙: 中，技術成熟度與客戶群關係仍為新進廠商的重要指南 前景: 受到矽價的直接影響較大，且由於未來矽價不再有高價情況出現，因此晶圓ASP與 毛利也僅能維持住，而不會有爆發性成長。 台灣: 優勢廠商仍不多，中美晶、合晶與綠能將暫居產業的領先位置。 製程: 單晶矽-> 利用"柴式長晶法"直拉晶體，過程緩慢而穩定，矽晶成規則排列。 多晶矽-> 利用"直接熔融定向凝固法"直接將多晶矽融化。 完成後的晶棒/塊再進行加工，包括切斷頭尾無用的部分、滾圓使表面平滑、切片 以及化學蝕刻(以避免金屬離子等雜質汙染矽片表面)。 中游-電池 進入障礙: 低，競爭非常激烈，新加入者可透過turnkey迅速崛起，產品同質性小。 前景: 較上游悲觀，技術發展達一瓶頸，金融海嘯以來margin下降得非常快。 台灣: 台灣是全球太陽能產業鏈中游的佼佼者，茂迪、益通與昱晶是最受矚目的專業電 池廠，但同上所述，未來的成長性很有限，要穩住地位極不易。 製程: p型矽片上透過擴散形成n型半導體層，其餘製程包括絨面製程、接面製程、鋁背面 製作、正背面金屬接觸與減反射層沉積；其內容礙於專業之物化知識，不再詳述。 結晶矽電池與薄膜的簡易比較: 製程 設備 外觀 技術 發電情況 結晶矽 詳細分工 成本較低 厚、重 較成熟、 --- (成本不易下降) 轉換效率較高 薄膜 一體成型 昂貴* 輕薄#、多彩 尚未成熟 總發電量較大、 (成本較低)& 可撓 效率偏低 低照度發電佳@、 無內部電路短路 問題。 &每提高1%的轉換效率，可降低14%的成本；結晶矽電池則是5~7%。 *國內業者購置美國一條產能20MW的生產線，價格至少約新台幣18億元；購置日本25MW產 能規模約需新台幣15億元，加上廠房建築等，業者投資金額約需達20億元。而國際設備 大廠如Applied Material、ULVAC、Oerlikon等，整線設備價格約在新台幣25億~30億元 間，雖然價格較高，但是國際大廠的設備有轉換效率約在8~10%的保證，加上完善的售後 服務，目前還是比較受到台場的青睞。 然除了設備以外，包括背板等主要材料，台灣亦需進口。 #薄膜在BIPV的發展空間較大，輕薄的特性也比較容易做成大面積的光電系統。 @較低的功率溫度係數、較大範圍的光譜吸收使得薄膜在北歐等弱光地區有較佳的發展性 。 中游-模組 進入障礙: 低，競爭亦激烈，但地域性強烈 前景: 模組廠多以尋求合作夥伴為主，是策略聯盟裡重要的一環。 (電池製成模組後轉換效率會有若干喪失，因此模組廠技術的優劣相當重要) 然此位置面臨整個產業鏈最大的成本壓力，因此普遍毛利率也是最低。 台灣: 缺乏內需市場，使得國內的模組廠普遍規模很小，外銷訂單不易，除品牌、品質問 題外，部分地區如外銷歐洲的訂單需要通過德國萊茵實驗室的認證，其耗時長達一 年左右，更換材料亦須再度認證，相對晶圓廠以及電池廠，模組的發展舞台很小。 製程: 透過串聯或並聯製成模組，步驟包括雷射切片、焊接、排列定位、層壓、固化與配 被外接電路；其內容礙於專業之物化知識，不再詳述。 -- 累了...先去睏orz，有誤請指正。 --

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