上游-矽材纯化 进入障碍:高，其技术门槛高、资本投入大，建厂时间需2至4年，未来回收充满不确定性 前景: 寡占市场慢慢消失，主因新提炼法不断开出，来自中韩的new entrants将成为 未来矽价的另一破坏者。 台湾: 极度缺乏发展，但已有许多厂商着手研发，成果未知；目前瑞晶已有小量产出， 後续密切观察。 主流之矽原料纯化方式比较: 1. 西门子法:原理为三氯矽烷裂解+钟型氢气反应炉，冶金级矽(99%)转换成三氯矽甲烷/ 矽烷，经过气化，气体於1150度(摄氏)高温吹入高纯度多晶矽棒，气体分 解後将纯多晶矽沈积在金属棒上。 技术成熟且纯度高(9N以上)，但高温高压危险，且耗电量很大，成本也较 高(45-60USD/KG)。 代表厂商: Hemlock、Wacker、REC、Tokuyama 2. 流体床反应炉法(FBR): 治金级矽制成的气态矽烷/三氯矽甲烷在高速下通过含多晶矽 粒的反应炉内，气体便分解为矽与氢，再沈积於矽粒上。 其耗电量较低、沈积率较高且制程效率较佳，最重要的是成本 约25~30USD/KG；然目前的矽纯度尚不理想，约在7N左右，加 上复杂的制程，投入厂商并不多 代表厂商: MEMC、REC、AE Poly、(Wacker) 3. 冶金法(UMG): 又称物理法，冶金级矽定向凝固後浓缩，分离熔解部份杂质後再截断。 优点在於成本低(10~20KG)、建厂前置时间较短；但产品纯度较低，仅 有5N，通常要与较高纯度之多晶矽混合才能使用，且目前技术未成熟， 微量杂质去除难度相当高。 代表厂商: 日本川崎制铁已量产(供货给Sharp)，中美俄等科学研究室 亦在努力研发中。 上游-矽晶圆 进入障碍: 中，技术成熟度与客户群关系仍为新进厂商的重要指南 前景: 受到矽价的直接影响较大，且由於未来矽价不再有高价情况出现，因此晶圆ASP与 毛利也仅能维持住，而不会有爆发性成长。 台湾: 优势厂商仍不多，中美晶、合晶与绿能将暂居产业的领先位置。 制程: 单晶矽-> 利用"柴式长晶法"直拉晶体，过程缓慢而稳定，矽晶成规则排列。 多晶矽-> 利用"直接熔融定向凝固法"直接将多晶矽融化。 完成後的晶棒/块再进行加工，包括切断头尾无用的部分、滚圆使表面平滑、切片 以及化学蚀刻(以避免金属离子等杂质污染矽片表面)。 中游-电池 进入障碍: 低，竞争非常激烈，新加入者可透过turnkey迅速崛起，产品同质性小。 前景: 较上游悲观，技术发展达一瓶颈，金融海啸以来margin下降得非常快。 台湾: 台湾是全球太阳能产业链中游的佼佼者，茂迪、益通与昱晶是最受瞩目的专业电 池厂，但同上所述，未来的成长性很有限，要稳住地位极不易。 制程: p型矽片上透过扩散形成n型半导体层，其余制程包括绒面制程、接面制程、铝背面 制作、正背面金属接触与减反射层沉积；其内容碍於专业之物化知识，不再详述。 结晶矽电池与薄膜的简易比较: 制程 设备 外观 技术 发电情况 结晶矽 详细分工 成本较低 厚、重 较成熟、 --- (成本不易下降) 转换效率较高 薄膜 一体成型 昂贵* 轻薄#、多彩 尚未成熟 总发电量较大、 (成本较低)& 可挠 效率偏低 低照度发电佳@、 无内部电路短路 问题。 &每提高1%的转换效率，可降低14%的成本；结晶矽电池则是5~7%。 *国内业者购置美国一条产能20MW的生产线，价格至少约新台币18亿元；购置日本25MW产 能规模约需新台币15亿元，加上厂房建筑等，业者投资金额约需达20亿元。而国际设备 大厂如Applied Material、ULVAC、Oerlikon等，整线设备价格约在新台币25亿~30亿元 间，虽然价格较高，但是国际大厂的设备有转换效率约在8~10%的保证，加上完善的售後 服务，目前还是比较受到台场的青睐。 然除了设备以外，包括背板等主要材料，台湾亦需进口。 #薄膜在BIPV的发展空间较大，轻薄的特性也比较容易做成大面积的光电系统。 @较低的功率温度系数、较大范围的光谱吸收使得薄膜在北欧等弱光地区有较佳的发展性 。 中游-模组 进入障碍: 低，竞争亦激烈，但地域性强烈 前景: 模组厂多以寻求合作夥伴为主，是策略联盟里重要的一环。 (电池制成模组後转换效率会有若干丧失，因此模组厂技术的优劣相当重要) 然此位置面临整个产业链最大的成本压力，因此普遍毛利率也是最低。 台湾: 缺乏内需市场，使得国内的模组厂普遍规模很小，外销订单不易，除品牌、品质问 题外，部分地区如外销欧洲的订单需要通过德国莱茵实验室的认证，其耗时长达一 年左右，更换材料亦须再度认证，相对晶圆厂以及电池厂，模组的发展舞台很小。 制程: 透过串联或并联制成模组，步骤包括雷射切片、焊接、排列定位、层压、固化与配 被外接电路；其内容碍於专业之物化知识，不再详述。 -- 累了...先去困orz，有误请指正。 --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 114.47.5.41