作者cos145 (more)
看板Physics
標題[問題] 介電係數與崩潰電壓物理關係
時間Mon Dec 10 17:41:23 2018
在半導體材料PN接面中，
若是材料的介電係數愈大者，
一般都能在逆向偏壓時有較高的崩潰電壓。
而教科書上一般都是用公式證明此結果。
但是，想請問各位，
用物理上直觀的想法，如何解釋此現象呢?
謝謝！
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1F：→ ip116: 絕緣體有外加電場通過時，裡面的分子會被極化(極化率跟介電 12/11 17:37
2F：→ ip116: 係數有關)，越容易被極化的材料在強電場下電子就越容易被拉 12/11 17:37
3F：→ ip116: 出原子核，形成自由電子導電。 12/11 17:37