作者ashioulou (Gene)
看板Physics
標題[請益] rectangular barrier
時間Sat Dec 1 00:53:51 2012
版上各位的物理前輩們好!
目前在做碳管與高分子材料的導電性研究
在文獻上讀到有關穿隧電阻的問題想要請教一下
Ref: http://ppt.cc/U-~k
文獻中想要探討兩根CNT中間夾著高分子(絕緣)
而CNT與絕緣層間會透過穿隧效應形成電流
該文獻中引用其他篇的公式計算電流密度
http://ppt.cc/pUIj
之後再進一步計算穿隧電阻
在第一篇 Chou的文獻中提到
將height of rectangular barrier 近似為CNT本身的 work function(eV)
並且在後面著名 單位為(V) !? 這個單位讓我有點混亂
而且在計算電流密度的時候 會把電壓U跟work function放在一起做計算
(感覺上work fuction和電壓單位明明不一樣，為什麼可以做總和)
總覺得整體上來講感覺好像有點前後矛盾
如果矩形勢壘的單位是V 那為什麼可以近視於功函數 (單位不一致)
如果矩形勢壘的單位是eV 為什麼在後面又可以跟電壓一起做總和?
hieght of rectangular barrier的單位到底是什麼?
我查了維基百科 但好像沒有講 真是令我非常混亂阿阿阿阿阿~
有請版友解答無知小弟的疑惑 m(_ _)m
非常感激!!
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 123.204.145.102
1F：推 nevinyrrals:用eV的好處不就是為了可以直接轉成V嗎? 12/01 15:17
2F：→ nevinyrrals:雖然因次不同 但是數值相同 12/01 15:19
什麼意思? n大的意思是 假設功函數為5eV 但公式中功函數要帶入V
可以直接用5下去直接做計算的意思嗎?
因為我有試著用文獻中給的參數下去代公式計算
2
公式中說 t帶入(埃米) 功函數帶入(V)!? 所得的J電流密度 (A/cm )
但他給的功函數是給eV 我也是把他給的功函數直接帶進去算了
出來的答案總是差差不多三到四倍左右.... 所以我才在想是不是單位換算的問題
※ 編輯: ashioulou 來自: 140.113.156.84 (12/01 16:35)
※ 編輯: ashioulou 來自: 140.113.156.84 (12/01 16:42)
3F：→ nevinyrrals:那你可能要詳細檢查一下 我看公式滿複雜的 12/01 17:33
4F：→ nevinyrrals:有barrier height, dielectric constant, thickness 12/01 17:35
5F：→ nevinyrrals:你確定你都代對? 12/01 17:36
由第一篇中的(6)式 先算電壓
U=e/C= (單位電荷量*絕緣層厚度)/(交疊面積*相對介電常數*真空介電常數)
我推過單位因次 基本上左邊會等於右邊沒問題
如果右邊的長度單位都一致的話 都會是電壓V
但是我帶到接下來的公式中 就會很疑惑
因為接下來計算電流密度的公式中 所有的U好像都是把它當作eV來做計算
這樣左右邊的單位因次才會對.....非常疑惑 而且值算出來又不對 Q_Q
※ 編輯: ashioulou 來自: 140.113.156.84 (12/01 20:02)
6F：→ wohtp:我猜是 e = 1 這種 god-given unit。 12/02 04:30
7F：→ wohtp:反正你的 carrier 只有一種嘛，1 eV的能量跟 1V 的電位完全 12/02 04:31
8F：→ wohtp:等價，看成同一種東西也沒什麼不可以 12/02 04:32
目前我是用這樣算的沒錯 就把eV跟V兩樣等物理量 反正就帶下去算
(我也有試過把work fuction除一個e帶進去 或著V乘一個e下去算 會算不出值)
算下去跟我用點圖點出來的差不多都差四倍左右 算好幾次就是對不到..
我快瘋掉 Q_Q 無論如何感謝以上版友提供意見
※ 編輯: ashioulou 來自: 140.113.156.84 (12/02 19:32)