作者fantasy0310 (sfdfsaw)
看板Physics
標題[問題] 關於半導體中雜質濃度
時間Sat Oct 27 00:10:21 2012
小弟我想請問
若摻雜 硼原子 2*10^16 cm^-3
砷原子 1.5*10^16 cm^-3
求300K下 電子電洞濃度 移動率 電阻係數
小弟想問
為何 p(電洞濃度)=NA-ND=2*10^16-1.5*10^16=5*10^15
為什麼兩個摻雜的濃度相減???
而且兩個摻雜濃度的數量級差不多
怎算出來 p>>n ( n=1.86*10^4 cm^-3 )
且電洞的移動率up=up(NA+ND)=3.5*10^16*uP=290 cm^2/v-s ???
小弟我想不出來為何要這樣算 且上面的up哪來 T_T
最後知道 p>>n 所以電阻係數=1/qup*p...
懇求半導體高手解答~~~~~~~~~~~~~~
感激不盡~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
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◆ From: 114.25.117.234
1F：推 nevinyrrals:老實說你的問題有點沒頭沒尾的 10/27 00:33
2F：→ nevinyrrals:電阻率 載子遷移率 載子濃度三者的關係就像你寫的公式 10/27 00:34
3F：→ fantasy0310:不好意思 忘了打"在矽樣本上"..... 10/27 00:34
4F：→ nevinyrrals:那樣 所以一定要知道其中兩者才能推第三者 10/27 00:35
5F：→ nevinyrrals:你那個電洞遷移律的推導怪怪的 10/27 00:36
6F：→ fantasy0310:不好意思 小弟想問遷移率怎乘出來會等於290cm^2/v-s? 10/27 00:37
7F：→ nevinyrrals:基本上題目給摻雜濃度就是要讓你算載子濃度 10/27 00:37
8F：→ fantasy0310:那個遷移率解答是那寫 小弟看不懂T_T 10/27 00:38
9F：→ fantasy0310:整個最大疑惑在那QQ 10/27 00:38
10F：→ nevinyrrals:假設NA>ND 根據n*p=ni^2和n+NA=p+ND兩個式子去解 10/27 00:40
11F：→ nevinyrrals:就可解出p=NA-ND (在常溫雜質完全游離且NA>ND>>ni下) 10/27 00:42
12F：→ fantasy0310:了解 感謝你 不過那遷移率有點想不通... 10/27 00:43
13F：→ nevinyrrals:電洞遷移律那個式子你可能要再檢查有沒有寫錯 10/27 00:46
14F：→ nevinyrrals:式子應該是錯的 10/27 00:47
15F：→ fantasy0310:遷移率式子是看解答上寫的 沒有頭緒怎麼這樣列.... 10/27 00:48
16F：→ fantasy0310:還是那遷移率是要去查圖表???? 10/27 00:53
17F：→ nevinyrrals:一般來說只能從電阻率去推 或是effective mass 10/27 18:56
18F：→ nevinyrrals:和平均碰撞時間去推 10/27 18:57
19F：→ nevinyrrals:通常都是用霍爾效應去量 10/27 19:01
20F：→ nevinyrrals:而像Si或GaAs這種東西常溫的載子遷移率都被量過了 10/27 19:01
21F：→ nevinyrrals:可以查表得知 10/27 19:03
22F：→ nevinyrrals:我還是覺得你那個題目很怪就是了 三缺二沒得推導啊 10/27 19:05
23F：→ nevinyrrals:你要不要去問一下原出題者或是教授 10/27 19:07