作者bokey11 (地獄使者)
看板Physics
標題[問題] 電容相關問題
時間Sun Sep 2 21:16:56 2012
我們製作了上下電極板是AlCu金屬, 金屬板間有 Si3N4 與SiO2 介電質的MIM電容
我們的電容對電壓曲線告訴我們 Si3N4 與SiO2會受電壓影響,
Si3N4 電容呈現開口向上的拋物線 而SiO2電容呈現開口向下的拋物線,
後來我們將Si3N4 與SiO2混和,製作複合film的電容, 結果電容對電壓曲線是
呈現一條水平線,也就是不隨電壓影響的電容,這是理想的電容特性.
相關文獻是說原因是可以互相補足兩種材料的不足, 但我想問說,
可以用普物的電容串聯來解釋嗎? 我用excel計算發現兩種電容倒數相加後再倒數,
會是水平線的結果。
這問題還蠻難的吧?
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◆ From: 140.116.205.180
1F：推 nevinyrrals:MIM C-V會變和膜中缺陷或漏電流有關 09/03 10:01
2F：→ nevinyrrals:你可能也要看一下電容的J-V曲線才能定論 09/03 10:02
3F：→ nevinyrrals:若兩個材料加在一起漏電很低那就確實比較接近理想MIM 09/03 10:06
4F：→ nevinyrrals:若是全部都很不漏那就和膜中缺陷有關 09/03 10:07
5F：→ bokey11:C-V 的確是跟模中缺陷有關，跟漏電流好像有點關，可是... 09/03 15:08
6F：→ bokey11:如果有漏電流，C-V應該隨著V愈大,C愈小,但SiN卻愈大 09/03 15:10
7F：→ bokey11:我們的實驗結果說明SiN的漏電流是大於SiO2 09/03 15:11