作者jianhung ()
看板Physics
標題[問題] NiP合金與P參雜Si wafer之接觸
時間Mon Apr 30 12:58:20 2012
大家好
小弟目前在實驗上有個現象一直無法完整解釋
所以想向各位前輩請教請教
我在P doped Si wafer上利用無電鍍鍍上1層200nm的鎳磷(Ni-P)合金
接著利用銀膠在NiP薄膜黏上導線，放置在烘箱裡作2線制的電阻vs溫度量測
得到的data顯示電阻隨著溫度上升(400oC)而下降，溫度降至室溫後電阻也回復到原值
且屢試不爽 ~"~
NiP結構為P散佈在Ni奈米晶上，可以說是具有金屬性質
無法解釋的地方就在於data顯示的並不是金屬特性(像半導體)
wafer和NiP的電阻率分別是 1~10E6和500 uOhm-cm (兩者差異至少4個order)
文獻上有研究指出NiP和此種wafer的接觸電阻約為0.5~0.8 ohm-cm
我想請教的是
以這樣的電阻率差異，有可能我量到的是半導體嗎?
謝謝各位!!
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◆ From: 111.255.188.131
※ 編輯: jianhung 來自: 111.255.188.131 (04/30 13:18)
1F：推 nevinyrrals:可以考慮鍍在qartz上 04/30 20:26
2F：→ nevinyrrals:抱歉手殘打錯quartz 04/30 20:30
3F：→ jianhung:回樓上，有鍍在玻璃測試過，就沒有下降趨勢了 05/01 00:17
4F：→ jianhung:但基板必須是Si，所以想就這個現象去解釋 thx 05/01 00:19
5F：→ nevinyrrals:其實我覺得比較有可能是Si和你的材料產生反應 05/01 00:44
6F：→ nevinyrrals:可以先測看看單純Si wafer的升溫電阻率變化 05/01 00:46
7F：→ nevinyrrals:如果電阻率都一直遠大於你的材料就可排除電流走wafer 05/01 00:48
8F：→ nevinyrrals:矽在升溫的過程容易和金屬形成金屬矽化物 05/01 00:52
9F：→ nevinyrrals:而且你又升到400度 我覺得產生金屬矽化物的機率滿高的 05/01 00:57
10F：→ jianhung:n大說的沒錯，這個溫度已經到達Ni2Si的形成溫度，只是 05/01 14:25
11F：→ jianhung:XRD一直拍不出矽化物。重點是從文獻查得Ni2Si,NiSi,NiSi2 05/01 14:27
12F：→ jianhung:的TCR都是正的，這樣矽化物也不能解釋電阻回復的現象@@ 05/01 14:28
13F：推 nevinyrrals:你的東西不是還有磷嗎? 搞不好變成三元材料 05/01 18:20