石墨烯取代Si作為電晶體的主力材料一直是作碳材料科學家的大餅 目前只能說他是後CMOS時代熱門材料的候選人之一 同為候選人的 還有三五族 跟 碳管以及 光積體電路 光積體電路我沒有接觸 先跳過不談 石墨烯之所以比碳管來的更具應用的優勢 最簡單來說 製作電晶體二維結構遠比一維結構來的簡易 而碳管又因天生結構的差異 不易控制為半導體或者金屬性(雖然目前號稱可以控制) 但是無法定位定方向 這還有一段路要走 回到石墨烯取代矽 或者 三五族 石墨烯最大的優勢 在於 高載子遷移率 且製程便宜 無汙染 但是 作為電晶體的致命傷 是 天生並不具有能隙 換句話說 無能隙 並沒有所謂的Ioff導致Ion/Ioff 很小 可以想成漏電流極高 當然利用一些方式可以打開能隙 但是 載子遷移率因此下降 反觀 三五族也具有高載子遷移率 而 寬能隙也可降低Ioff電流 如果真要用於電晶體方面 目前大家比較看好往類比電路 或者需要速度較高的電晶體 發揮石墨烯先天的優勢 順帶一提,關於石墨烯製備的方面 石墨烯採用 機械剝離 氧化還原 跟 CVD法 要跟業界作整合的話 如同基隆人前輩所說 CVD法為主流 目前CVD法 可分成 SiC Ni Cu三種 SiC 剛好是原PO提到的 Heer為主流 最快 最先 最好(我只停留在2010的資訊,Orz) Cu跟Ni都為金屬催化劑 目前逐漸轉往Cu 系統為主 至於大面積應用 在2010年 三星已經在銅箔上長出30吋的石墨烯 實際真的如此嗎?有一些小小的疑問,不過又是另一件事了 但是大面積已經不是製備石墨烯的主要問題 我想未來在製備石墨烯的方向 會往低溫製程 跟直接在絕緣體上成長為主 --

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