※ 引述《ketbra (QQ)》之銘言： : 想問個基本問題 實在太困擾了 : 在討論 金屬 與 半導體(n-type, 功函數<金屬) 接觸時 : 能帶的變化如圖 : http://www.chinabaike.com/article/UploadPic/2008-1/2008110112318372.jpg : 問題是 : 我可以了解接觸時 電子從半導體流向金屬 裸露出電性為正 : 但是怎麼解釋半導體表面的能帶向上翹? : 我的認知是+的電性 對電子來說應該是位能低(喜歡過去) : 應該要能帶向下阿? : 這一點不懂 搞得之後看MOS的接觸都是跟我認知相反 : 在半導體端有-電荷 能帶下翹 有+電荷 能帶上翹 : 還是我的因果關係搞反了? : 但是PN接面就跟我認知一樣 : http://163.20.22.161/Science/content/1990/00020242/images/122.gif : 拜託了 : 感謝回答 從電場只能判斷drift current 在你給的這幾個情況底下，是總電流等於零 也就是drift加上diffusion current要為零 從PN接面來看: N端的電子diffuse進入P端，於是電場就要使得電子從P端進入N端以達平衡 電洞亦同。 從金屬半導體接面來看: 電子從半導體diffuse進入金屬(由Fermi level和金屬的功涵數判別)， 於是電場就要讓電子從金屬的方向往半導體移動以達平衡。 至於MOS的inversion產生，我想應該是倒因為果了， 應該說因為電場方向讓電子在該位置累積，要直觀的分析應該是說 該位置電子濃度高，如果電場方向不朝向該位置的話電子便會diffuse開了 總之d(Ef)/dx=0是drift+diffusion current為零的結果 判斷能帶也該把這兩種電流都一起考慮才是。 ※ 編輯: ericson168 來自: 128.54.10.251 (02/08 11:11)