作者LScouple (找到出路)
看板Physics
標題[問題] ＰｉＮ結構
時間Wed Sep 30 21:37:25 2009
想請問一下
太陽能電池中的ＰＩＮ結構中的Ｉ
為何大部分都選用本質的半導體
另外最常看到的都是a-si
為何不用poly si or 單晶si,來當i-layer
p.s初學者問的很淺
謝謝包含
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◆ From: 218.168.75.234
1F：→ yeahbo:我猜是為了讓好不容易生成的電子電洞對不容易再次複合 09/30 23:33
2F：推 Geigemachen:價格成本考量,低價產品用便宜但表現差的非晶矽 10/01 07:46
5F：推 Geigemachen:多晶矽的表現較好,創了18.9%的太陽能發電效率世界記錄 10/01 07:50
7F：→ Geigemachen:#Solar_panel_and_applications 10/01 07:50
8F：→ huges0111:不是intrinsic的話，會有free carrier absorption 10/01 08:19
9F：→ huges0111:然後就會把電子電洞吃掉 10/01 08:20
10F：推 Geigemachen:樓上的說明可想成若不用i當發光層,則p/n導電度高很像 10/01 08:59
11F：→ Geigemachen:屏蔽效應會使發出的光又被吸收(像金屬球中心電場為零) 10/01 09:01
12F：→ Geigemachen:被屏蔽掉了;靜電場與電磁波電場中導電度都是損耗 10/01 09:02
13F：推 serve:因為a-Si擴散長度太短 所以用drift電流讓電子電洞分開 10/01 23:15
14F：→ serve:阻值高的材料電場才加的上去 10/01 23:17
15F：→ serve:用非晶or結晶要考量基板耐熱及成本 或是HIT結構就是做在wafe 10/01 23:20
16F：→ serve:r上面 ITO/N/I/單晶N wafer/I/P/ITO 效益可以上到20%以上 10/01 23:22