※ 引述《bmwfisher (大腸直長長)》之銘言： : ※ [本文轉錄自 Electronics 看板] : 作者: bmwfisher (大腸直長長) 站內: Electronics : 標題: [問題] 奈米科技展之主題 : 時間: Sat Sep 12 23:42:27 2009 : 各位好~想請問各位專有名詞 這樣翻是否正確 以及資訊是否正確~謝謝 : 以下是科展的主題~請各位幫忙~謝謝 : -------------------------------------------- : 1.郭瑞年主任 (國立清華大學/物理系) : Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 以上我翻為：了解 元素"鍺"與第V-III族元素之MOSFET運用於Si CMOS製程 : 解釋為：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半場效電晶體)來用在積體電路製程上 翻成"實現相容於矽CMOS製程的鍺及三五族金氧半場效電晶體" : 問題： : 1.為什麼III-V要反過來寫? 約定俗成的寫法，III-V就是指三五族化合物 : 2.CMOS前面為何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圓? Complementary Metal-Oxide-Semiconductor(CMOS)是指一種積體電路製程技術 因為在矽晶圓上製作，所以通常會加Si : 3.MOSFET是算是一種方法? 而CMOS是一種完整製程? MOSFET指一種元件(金氧半場效電晶體)，CMOS是一種製程 : 2.劉致為教授 (國立臺灣大學/電子工程學研究所) : High Mobility Technologies and Physics : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：高流動性之技術與其物理特性 : 解釋為：查了這位教授的研究領域 : {應變矽／high K／金屬閘．積體SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光電元件．MOS可靠度．SOI技術 : 問題： : 1.什麼流動性技術?是說電子間的流動? Mobility指載子(電子或電洞)的遷移率 : 3.徐嘉鴻副研究員 (國家同步輻射研究中心) : Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics : Grown on Semiconductors : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：奈米級厚度的高介電材料之結構特性對半導體的影響 : 解譯為：就是要探討奈米厚度的半導體介電材料 : 問題： : 1.Grown on是翻成影響還是磊晶呢? 指磊晶(或成長)於XXX之上 : 2.Nani-thick應該是指厚度吧~或是其他意思? 指厚度是奈米等級 : 3.所以這材料如果以厚度來說，它是粒子or膜or? 薄膜，材料晶格大小通常都只有0.3~0.6nm : 4.謝光宇 處長 (旺宏電子股份有限公司奈米科技研發中心) : The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：挑戰並創新非揮發性記憶體 : 解釋為：旺宏是一家半導體商，所以要展示新型非揮發記憶體 : 問題： : 非揮發性記憶體(Non-volatile memory)是指即使電源供應中斷，記憶體所儲存的資料 : 並不會消失，重新供電後，就能夠讀取內存資料的記憶體 : 1.快閃隨身碟就是此類型，想問的是一般桌機用的DDR-RAM : 是(volatile)類的，不是(Non-volatile)沒錯吧?-- : 2.目前non-volatile多用於MP3隨身聽，FLASH記憶體等隨身攜帶之產品是嗎? : 5.邱雅萍助理教授 (國立中山大學/物理系) : Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100) : by STM : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：用STM直接研究Gd2O3(氧化釓)附在GaAs(砷化鎵?)上之介面結構 : 問題： : 1.STM是指掃描穿遂電子顯微鏡(scanning tunneling microscope) : 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置? (100)是指晶格面(或是miller index)，也就是此材料是(100)晶格面 : 3.這可能是材料的問題，物理系也有做這一類研究的主要研究導向是? : 6.黃懋霖博士 (國立清華大學/材料科學工程學系) : Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation : ↑↑↑↑↑↑↑↑ : 翻為：原子層沉積(磊晶)於高相對介電係數之InGaAs(銦鎵砷?)上做為保護層 : OR : 在InGaAs上沉積高介電材料原子層以做保護層(表面鈍化) : 問題： : 1.InGaAs是指元素還是這是一個專有名詞? 是一種化合物，砷化銦鎵 : 2.high k也是高介電材料的意思? --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 60.198.5.134