領域: Device/RRAM 期刊名稱: Advanced Materials 被accepted/revised/rejected: accepted and published 投稿後大約多久才收到結果: 1st revision 五週, accpeted 四週 reviewer數目: 2 -- 期刊名稱: Advanced Functional Materials 被accepted/revise/rejected: accpeted, in press 投稿後大約多久才收到結果: 六週左右 reviewer數目: 2 -- 因為前一篇的內容過於偏重物理，抽掉了不少元件性質， 所以這兩篇的內容主要就是寫回元件的那一面，希望能吸引這個領域的研究者的目光 Adv. Mater. 這篇主打三個點， 1. anisotropic resistance in thickness and area dependence 強調這個元件的電阻是linear proportional to area, but exponentially proportional to thickness. 2. 強調了元件的uniformity, 提出用Weibull exponent vs standard deviation/mean 來衡量uniformity 並且做了很多的文獻回顧，把他們的data都放進去比較 3. 最後則是用device properties做結尾，並提出跟現行RRAM的不同點 回來的結果是兩個都是major revision， 不過好險兩個人都認為這篇是highly importance(top 15%) 兩個reviewer的共同點都是指向前一篇的physics太難懂， 要我們在這篇文章裡面多做點說明。 Reviewer #1 認為我們在前一篇的理論不太能全然解釋這個現象， 並且提出了不少文章希望我們能多做比較,(應該是reviewer自己本身的文章... Orz) Reviewer #2則認為我們新提出的negative U concept沒有直接證明， 所以要求我們至少提出logical arguments. 其他基本上都是小問題，因此針對太難懂這點， 在introduction裡面加了layman's introduction， 另外則是加了不少文獻做探討(reviewer#1的文章跟reviewer#2要求的negative U) 針對證據不足的這部份則是分析了這類型的實驗很難在薄膜下面進行 所以只以相關材料做舉證，證明這類行的材料的確有可能有negative U center -- Adv. Func. Mater. 這篇則是提出一個circuit model來解釋元件的現象 通篇是闡述如何用簡單的I-V response去分析電路的組成， 並且將文獻裡面的I-V response也一併提出解釋。 最後通過這個circuit model將retention property進一步做分析(I-V-t的response)， 利用簡單的FNT模型計算提出這個材料可能的構造。 這篇相當順利，兩個reviewer都是rate critically important (top 5%) 做了一些小修改後送出就accept了。 -- 投這兩篇的共通點就是審查速度超快(Adv. Mater.是communication還說得過去， Adv. Func. Mater. 則是full paper，但還是一樣很快) 從沒有想到投paper可以這麼快就知道結果， 而且editor似乎有很大的機會會選你指定的reviewer(除了Adv. Mater. reviewer#1, 要求我們cite他的paper因此知道他是誰之外，在Adv. Func.裡面有一個reviewer 指出了current amplifier的問題，因此也猜出可能是誰) 似乎只要選該領域稍微有點名氣的大頭，editor都有很大的機會會選中。 另外Wiley投搞有一點讓我很不習慣，就是在submit後完全沒有回條， 都要等到最後結果出來才會告知。之前投的那幾個期刊，editor都會通知收到。 -- 題外話，這兩篇弄完後就要踏入業界了，不知道會不會是我最後的作品 原本一直覺得自己不適合做研究，也打定畢業後就要脫離研究領域， 可是真的到了面臨抉擇的時候又發現自己對研究很有興趣放不下來， 因此就算到現在已經做決定了，還是很難完全跳脫出來。 不知道是否也是有很多博士生在畢業的時候也會對下一步感到迷惘? --

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