领域: Device/RRAM 期刊名称: Advanced Materials 被accepted/revised/rejected: accepted and published 投稿後大约多久才收到结果: 1st revision 五周, accpeted 四周 reviewer数目: 2 -- 期刊名称: Advanced Functional Materials 被accepted/revise/rejected: accpeted, in press 投稿後大约多久才收到结果: 六周左右 reviewer数目: 2 -- 因为前一篇的内容过於偏重物理，抽掉了不少元件性质， 所以这两篇的内容主要就是写回元件的那一面，希望能吸引这个领域的研究者的目光 Adv. Mater. 这篇主打三个点， 1. anisotropic resistance in thickness and area dependence 强调这个元件的电阻是linear proportional to area, but exponentially proportional to thickness. 2. 强调了元件的uniformity, 提出用Weibull exponent vs standard deviation/mean 来衡量uniformity 并且做了很多的文献回顾，把他们的data都放进去比较 3. 最後则是用device properties做结尾，并提出跟现行RRAM的不同点 回来的结果是两个都是major revision， 不过好险两个人都认为这篇是highly importance(top 15%) 两个reviewer的共同点都是指向前一篇的physics太难懂， 要我们在这篇文章里面多做点说明。 Reviewer #1 认为我们在前一篇的理论不太能全然解释这个现象， 并且提出了不少文章希望我们能多做比较,(应该是reviewer自己本身的文章... Orz) Reviewer #2则认为我们新提出的negative U concept没有直接证明， 所以要求我们至少提出logical arguments. 其他基本上都是小问题，因此针对太难懂这点， 在introduction里面加了layman's introduction， 另外则是加了不少文献做探讨(reviewer#1的文章跟reviewer#2要求的negative U) 针对证据不足的这部份则是分析了这类型的实验很难在薄膜下面进行 所以只以相关材料做举证，证明这类行的材料的确有可能有negative U center -- Adv. Func. Mater. 这篇则是提出一个circuit model来解释元件的现象 通篇是阐述如何用简单的I-V response去分析电路的组成， 并且将文献里面的I-V response也一并提出解释。 最後通过这个circuit model将retention property进一步做分析(I-V-t的response)， 利用简单的FNT模型计算提出这个材料可能的构造。 这篇相当顺利，两个reviewer都是rate critically important (top 5%) 做了一些小修改後送出就accept了。 -- 投这两篇的共通点就是审查速度超快(Adv. Mater.是communication还说得过去， Adv. Func. Mater. 则是full paper，但还是一样很快) 从没有想到投paper可以这麽快就知道结果， 而且editor似乎有很大的机会会选你指定的reviewer(除了Adv. Mater. reviewer#1, 要求我们cite他的paper因此知道他是谁之外，在Adv. Func.里面有一个reviewer 指出了current amplifier的问题，因此也猜出可能是谁) 似乎只要选该领域稍微有点名气的大头，editor都有很大的机会会选中。 另外Wiley投搞有一点让我很不习惯，就是在submit後完全没有回条， 都要等到最後结果出来才会告知。之前投的那几个期刊，editor都会通知收到。 -- 题外话，这两篇弄完後就要踏入业界了，不知道会不会是我最後的作品 原本一直觉得自己不适合做研究，也打定毕业後就要脱离研究领域， 可是真的到了面临抉择的时候又发现自己对研究很有兴趣放不下来， 因此就算到现在已经做决定了，还是很难完全跳脱出来。 不知道是否也是有很多博士生在毕业的时候也会对下一步感到迷惘? --

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