來源:http://bit.ly/2e3ELxc 美上訴法院駁回Semcon半導體晶圓研磨製程專利無效判決：Semcon v. Micron 2016年8月19日，美國聯邦巡迴上訴法院（CAFC）合議庭判決（Semcon Tech, LLC v. Micron Technology, Inc., 2015-1936），以仍存在重大事實爭議問題（genuine issue of material fact）為由，撤銷一審專利無效簡易判決命令，並將本案發回地院重審。一審中，地院僅 依據被告聲請及專家證人證詞之裁量結果，來做出系爭專利受占先而無效之簡易判決，並 未檢視及討論原告專利權人主張。本案特點在於CAFC二審判決並未嘗試就案件實體爭議做 出討論及裁決，而僅以程序瑕疵為由將本案發回地院，多少反映美國聯邦最高法院要求CAFC 尊重下級法院裁量結果及僅需確認前者是否有誤之趨勢。 一、本案背景 本案為美國德州一家專利授權公司Semcon Tech LLC，2012年4月27日向德拉瓦州聯邦地院 控告英特爾（Intel）、IBM、三星（Samsung）、德州儀器（Texas Instruments）、美光 科技（Micron Technology Inc.）、富士電子材料（Fujifilm Electronic Materials U.S.A. Inc.）、格羅方德（GlobalFoundries）以及台積電（TSMC）等晶圓代工大廠，侵害其所持 有、與半導體晶圓化學機械研磨（chemical-mechanical polishing，CMP）製程技術相關 專利。Semcon所發起訴訟資訊，可參考本網站科技產業資訊室報導 「晶圓 CMP 製程專利 侵權，Semcon Tech控告Intel、IBM、Micron、三星等公司」： 本案專利為美國專利編號7,156,717，名稱「原位晶圓研磨控制」（[In] situ finishing aid control），2007年獲得核准，優先權日為2001年9月20日，發明人為Charles J. Monlar， 後於2011年11月移轉給Semcon。717專利主張一種利用電腦來控制半導體晶圓研磨加工過程 來降低晶圓厚度之方法，其中並使用感測器來監測晶圓厚度等資訊，並據以調節控制參數 。 二、一審判決專利無效 被告美光科技在其侵權訴訟（Semcon Tech LLC v. Micron Technology Inc. 1:12-cv-00532） 中主張717專利受到美國專利編號6,010,538所占先。538專利名稱為「透過輻射通訊鏈路來 監測和控制化學機械研磨過程的原位技術」（In situ technique for monitoring and controlling a process of chemical-mechanical-polishing via a radiative communication link），優先權日為1996年1月11日，主張發明亦為一種利用感測器所測得數據來調控半導 體晶圓研磨過程之方法，故對717專利構成占先之可能性極高。一審中，717專利是否受到 占先之主要爭議問題，在於717專利請求項1要件「一處理器用於測量原位製程資訊與軌道 資訊…並依據前述所感應資訊，來調節多項控制參數」（”a processor to evaluate the in situ process information and the tracked information… changing a plurality of control parameters in response to an evaluation of both the in situ process information… and the tracked information . . . during at least a portion of the finishing cycle time”）是否受到538專利所占先。其中，承審法官將「軌道資訊」解釋 為「半導體晶圓在進行研磨以前之相關資訊」（“pre-polishing information about the wafer being polished that is associated with the wafer”），其中包括該晶圓初始 厚度；「原位製程資訊」則被解釋為「正進行化學機械研磨過程半導體晶圓之相關資訊」 （“information that is sensed from the wafer currently undergoing CMP [chemical- mechanical polishing]”）。地院最終採用被告美光之專家證人證詞，裁定717專利受538 專利占先而無效。原告提出上訴，主張地院在前述爭議判斷上有誤，其中特別是在「原位 製程資訊」與「軌道資訊」此兩項敘述部分。 三、二審判決：發回地院重審 二審合議庭認為，538專利內容並未明確敘述電腦參考「軌道資訊」（未研磨晶圓之初始厚 度）來監控調整研磨速率，538專利說明書解釋該研磨速率乃透過感測器測量固定時間內研 磨除去之材料量而得出，此些證據，或可能得出538專利並未同時揭露前述兩項資訊之有利 原告結論，且對此被告專家證人證詞存在自相矛盾之處（被告專家證人一方面承認538專利 說明電腦無需參考晶圓初步厚度資訊來計算研磨速率，然又宣稱538專利揭示研磨速率乃依 據晶圓初步厚度來計算）；另一方面，儘管原告Semcon僅就被告專家證人分析提出反駁主 張，並未出示任何專家證人證詞來主張717專利未受到占先，然此一情形仍不足以構成發佈 專利無效簡易判決之充分理由。依據前述，合議庭認為本案仍存有重大事實爭議問題，需 地院重新考慮。 四、評析 本案上訴結果，使專利流氓Semcon於2012至2013年所發起之多件訴訟重獲機會。二審合議 庭處理本案之方式，頗類似10月7日Apple v. Samsung（2015-1171, 2015-1195, 2015-1994） 一案聯席判決情形，皆顯示CAFC傾向於遵循聯邦最高法院2015年Teva Pharms., Inc. v. Sandoz, Inc.（135 S. Ct. 831）一案所述原則，一改過去逕自討論並決定案件實體爭議 之全面重審（de novo）做法，僅確認一審證據紀錄及法官或陪審團事實發現是否支持其法 律結論，以及適當尊重下級法院裁量權，亦即確實扮演上訴法院角色及職能。 --

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