来源:http://bit.ly/2e3ELxc 美上诉法院驳回Semcon半导体晶圆研磨制程专利无效判决：Semcon v. Micron 2016年8月19日，美国联邦巡回上诉法院（CAFC）合议庭判决（Semcon Tech, LLC v. Micron Technology, Inc., 2015-1936），以仍存在重大事实争议问题（genuine issue of material fact）为由，撤销一审专利无效简易判决命令，并将本案发回地院重审。一审中，地院仅 依据被告声请及专家证人证词之裁量结果，来做出系争专利受占先而无效之简易判决，并 未检视及讨论原告专利权人主张。本案特点在於CAFC二审判决并未尝试就案件实体争议做 出讨论及裁决，而仅以程序瑕疵为由将本案发回地院，多少反映美国联邦最高法院要求CAFC 尊重下级法院裁量结果及仅需确认前者是否有误之趋势。 一、本案背景 本案为美国德州一家专利授权公司Semcon Tech LLC，2012年4月27日向德拉瓦州联邦地院 控告英特尔（Intel）、IBM、三星（Samsung）、德州仪器（Texas Instruments）、美光 科技（Micron Technology Inc.）、富士电子材料（Fujifilm Electronic Materials U.S.A. Inc.）、格罗方德（GlobalFoundries）以及台积电（TSMC）等晶圆代工大厂，侵害其所持 有、与半导体晶圆化学机械研磨（chemical-mechanical polishing，CMP）制程技术相关 专利。Semcon所发起诉讼资讯，可参考本网站科技产业资讯室报导 「晶圆 CMP 制程专利 侵权，Semcon Tech控告Intel、IBM、Micron、三星等公司」： 本案专利为美国专利编号7,156,717，名称「原位晶圆研磨控制」（[In] situ finishing aid control），2007年获得核准，优先权日为2001年9月20日，发明人为Charles J. Monlar， 後於2011年11月移转给Semcon。717专利主张一种利用电脑来控制半导体晶圆研磨加工过程 来降低晶圆厚度之方法，其中并使用感测器来监测晶圆厚度等资讯，并据以调节控制参数 。 二、一审判决专利无效 被告美光科技在其侵权诉讼（Semcon Tech LLC v. Micron Technology Inc. 1:12-cv-00532） 中主张717专利受到美国专利编号6,010,538所占先。538专利名称为「透过辐射通讯链路来 监测和控制化学机械研磨过程的原位技术」（In situ technique for monitoring and controlling a process of chemical-mechanical-polishing via a radiative communication link），优先权日为1996年1月11日，主张发明亦为一种利用感测器所测得数据来调控半导 体晶圆研磨过程之方法，故对717专利构成占先之可能性极高。一审中，717专利是否受到 占先之主要争议问题，在於717专利请求项1要件「一处理器用於测量原位制程资讯与轨道 资讯…并依据前述所感应资讯，来调节多项控制参数」（”a processor to evaluate the in situ process information and the tracked information… changing a plurality of control parameters in response to an evaluation of both the in situ process information… and the tracked information . . . during at least a portion of the finishing cycle time”）是否受到538专利所占先。其中，承审法官将「轨道资讯」解释 为「半导体晶圆在进行研磨以前之相关资讯」（“pre-polishing information about the wafer being polished that is associated with the wafer”），其中包括该晶圆初始 厚度；「原位制程资讯」则被解释为「正进行化学机械研磨过程半导体晶圆之相关资讯」 （“information that is sensed from the wafer currently undergoing CMP [chemical- mechanical polishing]”）。地院最终采用被告美光之专家证人证词，裁定717专利受538 专利占先而无效。原告提出上诉，主张地院在前述争议判断上有误，其中特别是在「原位 制程资讯」与「轨道资讯」此两项叙述部分。 三、二审判决：发回地院重审 二审合议庭认为，538专利内容并未明确叙述电脑参考「轨道资讯」（未研磨晶圆之初始厚 度）来监控调整研磨速率，538专利说明书解释该研磨速率乃透过感测器测量固定时间内研 磨除去之材料量而得出，此些证据，或可能得出538专利并未同时揭露前述两项资讯之有利 原告结论，且对此被告专家证人证词存在自相矛盾之处（被告专家证人一方面承认538专利 说明电脑无需参考晶圆初步厚度资讯来计算研磨速率，然又宣称538专利揭示研磨速率乃依 据晶圆初步厚度来计算）；另一方面，尽管原告Semcon仅就被告专家证人分析提出反驳主 张，并未出示任何专家证人证词来主张717专利未受到占先，然此一情形仍不足以构成发布 专利无效简易判决之充分理由。依据前述，合议庭认为本案仍存有重大事实争议问题，需 地院重新考虑。 四、评析 本案上诉结果，使专利流氓Semcon於2012至2013年所发起之多件诉讼重获机会。二审合议 庭处理本案之方式，颇类似10月7日Apple v. Samsung（2015-1171, 2015-1195, 2015-1994） 一案联席判决情形，皆显示CAFC倾向於遵循联邦最高法院2015年Teva Pharms., Inc. v. Sandoz, Inc.（135 S. Ct. 831）一案所述原则，一改过去迳自讨论并决定案件实体争议 之全面重审（de novo）做法，仅确认一审证据纪录及法官或陪审团事实发现是否支持其法 律结论，以及适当尊重下级法院裁量权，亦即确实扮演上诉法院角色及职能。 --

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