作者nfsong (圖書館我來了)
標題[轉錄]Re: [問卦] CPU時脈是不是已趨近極限
時間Tue Jan 26 23:12:14 2010
※ [本文轉錄自 nfsong 信箱]
作者: Daredevi1 (三井) 看板: Gossiping
標題: Re: [問卦] CPU時脈是不是已趨近極限
時間: Thu Jan 21 10:31:02 2010
III-V族在電子的mobility雖然高過Si很多,但是電洞的mobility略低於Si
Si上面strain的技術已經很成熟了,III-V這種電洞mobility很難進入商業化的邏輯製程
至少檯面上大家到15nm的road map是根本沒考慮III-V
換句話說二十年內III-V是沒機會進入LSI的...
Si製程的深與廣不是三五族能輕易取代的
上個說要當三五族的台積電的公司叫做博達 他成長了 還是幻滅了?
四倍線寬?你說的是曝光的倍率吧,光罩線寬與實際線寬=4:1是行之有年的業界規格
跟你說的resolution...很沒關係.請問一下 你懂litho嗎?
三星核心工程師??10nm device?Graphene要成功了?
三星跟ibm聯盟買22nm是嫌錢太多?為何不進軍你說的Graphene製程
三星花個幾億在都還不知道是不是下一代規格的 euv是嫌錢太多??
EUV的波長是15nm,是目前曝光機193nm的十多分之一,
193nm immersion根據intel的預測加上triple pattening 極限大概落在12nm tech node
那15nm的波長要落在哪哩呢???
不要看了幾篇paper或是聽了某某的一次演講就高潮了...
實際做個22nm sram array,等你看到良率的時候,再高潮還來得及
加油,好嗎?
: : 噓 nosame:很好，見一次嘘一次 01/21 04:37
: 因為一群人活在島國太久了
: 自以為畢業就是應該領幾十萬的上帝
: mobility 就是charge 的移動速度 直接影響到
: device的速度
: 這也就是為什麼GaAs 會取代Si 成為高頻元件(for example: RF
: 的材料 但是這個材料難以處理 又稀少
: 現有的Lithography技術即使線再細
: 因為使用multiplication 的光罩技術
: 所以實際的Pitch size都是四倍線寬 甚至更多
: 從三星出來的核心工程師
: 說三星早在他出來前就已經在研究10nm 製程技術
: Graphene目前最先進的製程
: 可以長在大面積的substrate
: 被列為機密
: 當然不是你在nature上搜尋到那篇用nikel長的 還充滿著缺陷
: 的學術研究
: Process 相容於目前的IC industry
: 現在表面上只欠缺幾項重要的屬性
: 而Graphene也就是之前紅的半天的奈米碳管的平面結構
: 是的 奈米碳管被拆開來攤平有了更好的結果
: 另外一個相容的單晶 ZnO 有各種良好的屬性
: 他同時是透明材料有高Mobility又是Piezoelectric
: 又能改變P N type 相容 能彎
: 說實在的繼續打下去打幾天都打不完
: 所以你可以不用擔心了
: 因為生產半導體製程儀器的公司都在做了
: 這又是另一個故事
: 不過我想三星正式公佈他的技術時
: 大家還在懷念韓國要因為短期債務亡國的消息吧
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 69.121.139.28
1F：推 gbasam:最近油好貴 01/21 10:34
2F：推 keepoo:你這樣他會哭 01/21 10:35
3F：→ jason543:你這樣他又要去辜狗了啦~~ 01/21 10:36
4F：→ kslman:唉歐媽咪，鄉民講話我都看不懂 01/21 10:37
5F：推 RoroyaZoro:現在的小孩真公主病 當年我被我那個狗老師打得滿臉是血 01/21 10:37
6F：→ keepoo:樓上明顯推錯篇 01/21 10:38
7F：→ jason543:是不是那個狗老師叫你去辜狗...??? 01/21 10:41
8F：推 XVN:你這樣他會哭 01/21 10:42
9F：→ e04ckymadam:在八卦版發外星文是不被允許的 01/21 10:53
10F：推 kvankam:XD 01/21 11:27
11F：→ freakclaw:推文好難懂… 0 0 01/21 11:39
12F：→ gg123sf:妳還是講中文好了 01/21 11:49
13F：→ cimone:買22nm和進軍Graphene製程是兩碼子事 錢多為何不能並進 01/21 13:06
14F：→ GundamXX:那GPGPU不就沒搞頭了 01/21 13:08
15F：→ cimone:III-V 難以與 Si 競爭的主因在價格 製程問題不大 01/21 13:11
16F：→ flash0576:樓上，價格問題是其次，製程才是問題所在，三五的很難找 01/21 14:02
17F：→ flash0576:到特性良好的native oxide，要做gate就輸Si一大截了 01/21 14:03
18F：→ flash0576:所以目前高頻元件可以用三五用的很爽，但都是離散元件 01/21 14:04
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 218.161.50.184