作者nfsong (图书馆我来了)
标题[转录]Re: [问卦] CPU时脉是不是已趋近极限
时间Tue Jan 26 23:12:14 2010
※ [本文转录自 nfsong 信箱]
作者: Daredevi1 (三井) 看板: Gossiping
标题: Re: [问卦] CPU时脉是不是已趋近极限
时间: Thu Jan 21 10:31:02 2010
III-V族在电子的mobility虽然高过Si很多,但是电洞的mobility略低於Si
Si上面strain的技术已经很成熟了,III-V这种电洞mobility很难进入商业化的逻辑制程
至少台面上大家到15nm的road map是根本没考虑III-V
换句话说二十年内III-V是没机会进入LSI的...
Si制程的深与广不是三五族能轻易取代的
上个说要当三五族的台积电的公司叫做博达 他成长了 还是幻灭了?
四倍线宽?你说的是曝光的倍率吧,光罩线宽与实际线宽=4:1是行之有年的业界规格
跟你说的resolution...很没关系.请问一下 你懂litho吗?
三星核心工程师??10nm device?Graphene要成功了?
三星跟ibm联盟买22nm是嫌钱太多?为何不进军你说的Graphene制程
三星花个几亿在都还不知道是不是下一代规格的 euv是嫌钱太多??
EUV的波长是15nm,是目前曝光机193nm的十多分之一,
193nm immersion根据intel的预测加上triple pattening 极限大概落在12nm tech node
那15nm的波长要落在哪哩呢???
不要看了几篇paper或是听了某某的一次演讲就高潮了...
实际做个22nm sram array,等你看到良率的时候,再高潮还来得及
加油,好吗?
: : 嘘 nosame:很好，见一次嘘一次 01/21 04:37
: 因为一群人活在岛国太久了
: 自以为毕业就是应该领几十万的上帝
: mobility 就是charge 的移动速度 直接影响到
: device的速度
: 这也就是为什麽GaAs 会取代Si 成为高频元件(for example: RF
: 的材料 但是这个材料难以处理 又稀少
: 现有的Lithography技术即使线再细
: 因为使用multiplication 的光罩技术
: 所以实际的Pitch size都是四倍线宽 甚至更多
: 从三星出来的核心工程师
: 说三星早在他出来前就已经在研究10nm 制程技术
: Graphene目前最先进的制程
: 可以长在大面积的substrate
: 被列为机密
: 当然不是你在nature上搜寻到那篇用nikel长的 还充满着缺陷
: 的学术研究
: Process 相容於目前的IC industry
: 现在表面上只欠缺几项重要的属性
: 而Graphene也就是之前红的半天的奈米碳管的平面结构
: 是的 奈米碳管被拆开来摊平有了更好的结果
: 另外一个相容的单晶 ZnO 有各种良好的属性
: 他同时是透明材料有高Mobility又是Piezoelectric
: 又能改变P N type 相容 能弯
: 说实在的继续打下去打几天都打不完
: 所以你可以不用担心了
: 因为生产半导体制程仪器的公司都在做了
: 这又是另一个故事
: 不过我想三星正式公布他的技术时
: 大家还在怀念韩国要因为短期债务亡国的消息吧
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 69.121.139.28
1F：推 gbasam:最近油好贵 01/21 10:34
2F：推 keepoo:你这样他会哭 01/21 10:35
3F：→ jason543:你这样他又要去辜狗了啦~~ 01/21 10:36
4F：→ kslman:唉欧妈咪，乡民讲话我都看不懂 01/21 10:37
5F：推 RoroyaZoro:现在的小孩真公主病 当年我被我那个狗老师打得满脸是血 01/21 10:37
6F：→ keepoo:楼上明显推错篇 01/21 10:38
7F：→ jason543:是不是那个狗老师叫你去辜狗...??? 01/21 10:41
8F：推 XVN:你这样他会哭 01/21 10:42
9F：→ e04ckymadam:在八卦版发外星文是不被允许的 01/21 10:53
10F：推 kvankam:XD 01/21 11:27
11F：→ freakclaw:推文好难懂… 0 0 01/21 11:39
12F：→ gg123sf:你还是讲中文好了 01/21 11:49
13F：→ cimone:买22nm和进军Graphene制程是两码子事 钱多为何不能并进 01/21 13:06
14F：→ GundamXX:那GPGPU不就没搞头了 01/21 13:08
15F：→ cimone:III-V 难以与 Si 竞争的主因在价格 制程问题不大 01/21 13:11
16F：→ flash0576:楼上，价格问题是其次，制程才是问题所在，三五的很难找 01/21 14:02
17F：→ flash0576:到特性良好的native oxide，要做gate就输Si一大截了 01/21 14:03
18F：→ flash0576:所以目前高频元件可以用三五用的很爽，但都是离散元件 01/21 14:04
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 218.161.50.184