※ 引述《Ledinsky (不超一下 哪叫做人生?)》之銘言： : 以現有Intel超頻架構裡面 : 個人覺得其實最有深入研究空間的是記憶體 : 最近在記憶體調教方面碰到一些瓶頸 : 想找一些關於記憶體參數設置與效能相關 : 比較深入的文章來研讀 : 滄者的文章也有大略搜尋過了 : Google也有找過... : 可是還是找不到滿意的文章 : 不知道有沒有人可以分享 這類相關的文章 : 因為本身不是學電子資訊相關科系 : 所以比較欠缺這方面的資訊 : 還請各位板友不吝分享指教 謝謝^^ 通常基本的是記憶體時脈,CL,RCD,RP,電壓幾個參數. 這幾個關聯呢(以下會剪貼部分舊文)?? Page Hit: CL Burst |------|----------| 1 2 3 4 Page Miss: RCD CL Burst |----|------|----------| 1 2 3 4 Bank Conflict: RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 1 2 3 4 不管是PC-100 SDRAM,到DDR2-800,基本上都是: 當記憶體控制器送出要求以後,等待數個cycle的延遲. 就會在接下來的N個cycle收到連續N筆資料. 比如說CL=3,burst length=4. 就是: 1 2 3 4 5 6 X X a b c d 6個cycle收到了四筆資料. 調電壓是幹嘛的應該不需要解釋. 那調整記憶體的時脈以及CL,RCD,RP這三個延遲的值會有甚麼結果? 為了方便說明,假設這邊有一條DDR2-800,CL,RCD,RP預設都相同(實際上 沒有完全相同的可能性....但是這是為了說明的簡化). RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 15ns 15ns 15ns 7.5ns 參數不變都是繼承BY SPD的設定,只調整時脈到1200會變成如何? RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 10ns 10ns 10ns 5ns 實際上這條記憶體有這麼勇猛嘛?當然不可能. 所以我們可以手動把RP,RCD,CL都增大1.5倍. (以這個例子是6-->9,當然會發生不是 整數比的狀況,只好無條件進位) RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 15ns 15ns 15ns 5ns 如果可以動的話,這就是一條名義上可以超過DDR2-1200, 實際上效能增加不知道有沒有10%的記憶體模組. 當然如果時脈能硬超這麼多,則這條記憶體的體質上,RP,RCD,CL 或許還有硬上的空間. 比如說極限可能是: RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 13ns 14ns 12ns 5ns 那記憶體可以從9-9-9-1200MHZ變成 8-9-7-1200MHZ.... 實際上也可能因為參數設定錯誤,比原來更糟糕. RP RCD CL Burst |------|----|------|----------| 16.6ns 15ns 16.6ns 5ns DDR2-800到DDR2-1200省下的2.5ns先被設定錯誤的 CL消耗掉2/3,再被一定機率發生的RP吃掉一部分. 效能可能會沒有改善. 所以實際設定的方法...先看你想要的時脈是多少, 然後把CL,tRCD,tRP,以及其他的cycle設定**(依照bios願意開放的程度 而不同...而有些不開放因此硬上會有問題)等比增加. 再來確認高時脈可上之後,依次降低CL,tRCD,tRP等看看是否仍然穩定. **tREF除外,通常不需要動. 其他常見的設定則有: 1T Command: 1T/2T 指的是送active command的時候,1T就是同一個cycle就會動作. 2T則是下一個cycle才啟動.會略為影響效能.不過1T能使用的前提 是時脈較低以及系統上使用的DIMM較少.即使用同樣的記憶體, 可能插上兩條或者是三條的時候就不建議使用. Bank Interleave: Continous/Interleave 這個影響的是資料如何在記憶體內部排列的順序. 舉例而言: Continous: 0,1,2,3 8,9,10,11 Row 4,5,6,7 12,13,14,15 ........... Interleave: 0,1,8,9, 2,3,10,11 ROW 16,17,24,25 18,19,26,27 設定成不同模式,依照程式存取資料的特性會影響 page miss跟bank conflict的機率.進而影響實際效能. 這兩個沒有絕對的優劣差異.反正配置都弄好了才改這邊 測試看看也是可以的. 以上為一般主機板常見可以調整的. 如果是DFI的bios,提供的很多調整都是記憶體實體層的門檻. 比如說DQS Skew Control,是因為DQS的訊號就是控制DDR 的data rate.但是所有clock rate傳遞的時候都會在線路上 有clock skew問題.如果特地修改這個門檻,可以降低高時脈 無法判別的問題....但是改到這部分已經不知道怎麼說呢... 不過從以上說明可知,其實超頻SDRAM對效能影響的程度比能 想像的低很多.. 絕大多數有意義的理由都是為了跟上超頻後的外頻或者是 讓記憶體控制器對記憶體/CPU的除頻比例簡單化. 這兩點比起記憶體能超多少才是最重要的. --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.132.36.159 ※ 編輯: jk21234 來自: 220.132.36.159 (09/18 13:48)