作者jk21234 ()
看板OverClocking
標題Re: [請益] 記憶體參數的問題
時間Thu Sep 18 04:34:04 2008
※ 引述《levine21 (音響系統真的是坑)》之銘言:
: 前些時候在電蝦有看到關於CL值的討論 就去辜狗一下 結果找到這篇文章
: http://www.coolaler.com/content/node/1005?page=0%2C2 [by 狂少]
: 看幾次之後有了以下的疑問 如果有笨到的話請別見怪 ~"~
: 首先 打開CPU-Z 看SPD那欄 顯示如下
: Frequency 200MHz 266MHz 400MHz
: CL 3 4 5
: tRCD 3 4 5
: tRP 3 4 5
: tRAS 9 12 18
: tRC 12 16 23
: 然後文章中提到
: 總延遲時間= CL delay time (Value) x period of each clock cycle
: 假設是DDR2 800 IC速度=2.5ns
: 那 CL=3 --->3*2.5 = 7.5ns
: CL=4 --->4*2.5 = 10.0ns
: CL=5 --->5*2.5 = 12.5ns
: 如果改成看DDR2 533 IC速度=3.76ns
: 那 CL=3 --->3*3.76 = 11.28ns
: CL=4 --->4*3.76 = 15.04ns
: CL=5 --->5*3.76 = 18.80ns
觀念已經算接近正確了.
不過,這個"CL的實際時間"一般稱為SDRAM的"TRUE LATENCY",是一個重要指標.
但是並不是直接反映到效能.
因為SDRAM家族的傳輸大致上長的這樣.
Page Hit:
CL Burst
|------|----------|
1 2 3 4
Page Miss:
RCD CL Burst
|----|------|----------|
1 2 3 4
Bank Conflict:
RP RCD CL Burst
|------|----|------|----------|
1 2 3 4
依照上次存取位置與現在存取的位置的關聯性,
有不同長度的Latency,而Latency之後是Burst傳輸.
每一個cycle都可以傳一筆資料,持續N次...(N是多少就是規格了,
SDR,DDR可能是4,8,桌上型DDR2只支援4,而顯示卡用的記憶體
可以支援特別長的連續資料傳輸).
以你的例子來說(只算Page Hit):
: 然後看CPU-Z的表 跑DDR2 533的時候 CL為4 所以總延遲時間=15.04ns
: 最後看DDR2 400 IC速度=5ns
: 那 CL=3 --->3*5 = 15ns
: CL=4 --->4*5 = 20ns
: CL=5 --->5*5 = 25ns
: 看CPU-Z的表 DDR2 400的時候 CL為3 總延遲時間=15ns
: 這樣來看的話當記憶體跑DDR2 400的時候延遲時間比DDR2 533來的短(雖然只有0.04ns)
: 是代表效能比較高嗎? 可是總覺得這樣想怪怪的 是哪裡出了問題呢?
: 感覺好像要把除頻表納入考慮 可是我怎麼也連不起來 囧
: 感謝解答
DDR2-533
CL=15ns Burst=3.75x(4-1)=11.25ns
|---------|--------|
因此在26.25ns的時間內,取得了4x64bit大小的資料.
DDR2-400
CL=15ns Burst=5x(4-1)=15ns
|---------|-----------|
在30ns的時間內取得了256bit大小的資料.
前者還是比較快,但是比例不如400:533帳面上的33%.
只快了約15%的時間.
不過要是再考慮...以上是只計算Page Hit,
還是要考慮到:CPU存取記憶體的應用方式不太可能讓Page Hit
的比例很高,而不是page hit的時候,提升比例會低很多,加上
cpu上還含有cache....因此低規格的DDR2和高規格的DDR2記憶體
的實際效能差距就會更少.像上面那個例子,要是拿Sissoft Sandra這種
synthesis benchmark測就會將近提升15%,不過換成實際的應用
程式就不知道有沒有1.5%了.
但是這個"TRUE LATENCY"還是可以當一個重要的指標.
因為對DRAM而言,true latency的改進是很緩慢的.
據統計約為7% per year.也就是說今年造出來的是
15ns的話,明年大概可以做到14ns.而RP跟RCD可以做到的值
也和這個有正相關,不會出現太極端的偏差.
相比容量的進步之下這個東西的進步速率可以說是牛步.
另外同一串回文有認為兩條記憶體可以直接以
true latency的時間比較的....應該說.
true latency低比記憶體能跑更高的burst時脈影響更大.
如果true latency相同,burst時脈較高當然也比較好.
因為在設定的時候只能看到Cycle值.所以需要自己換算
這個true latency的實際時間....以避免提高記憶體頻率
的同時錯誤的設定讓true latency變長了.
沿用這個例子作說明,DDR2-533 CL4比DDR2-400 CL3好,
但是如果是DDR2-533 CL5就可能比DDR2-400 CL3差.
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