作者jk21234 ()
看板OverClocking
标题Re: [请益] 记忆体参数的问题
时间Thu Sep 18 04:34:04 2008
※ 引述《levine21 (音响系统真的是坑)》之铭言:
: 前些时候在电虾有看到关於CL值的讨论 就去辜狗一下 结果找到这篇文章
: http://www.coolaler.com/content/node/1005?page=0%2C2 [by 狂少]
: 看几次之後有了以下的疑问 如果有笨到的话请别见怪 ~"~
: 首先 打开CPU-Z 看SPD那栏 显示如下
: Frequency 200MHz 266MHz 400MHz
: CL 3 4 5
: tRCD 3 4 5
: tRP 3 4 5
: tRAS 9 12 18
: tRC 12 16 23
: 然後文章中提到
: 总延迟时间= CL delay time (Value) x period of each clock cycle
: 假设是DDR2 800 IC速度=2.5ns
: 那 CL=3 --->3*2.5 = 7.5ns
: CL=4 --->4*2.5 = 10.0ns
: CL=5 --->5*2.5 = 12.5ns
: 如果改成看DDR2 533 IC速度=3.76ns
: 那 CL=3 --->3*3.76 = 11.28ns
: CL=4 --->4*3.76 = 15.04ns
: CL=5 --->5*3.76 = 18.80ns
观念已经算接近正确了.
不过,这个"CL的实际时间"一般称为SDRAM的"TRUE LATENCY",是一个重要指标.
但是并不是直接反映到效能.
因为SDRAM家族的传输大致上长的这样.
Page Hit:
CL Burst
|------|----------|
1 2 3 4
Page Miss:
RCD CL Burst
|----|------|----------|
1 2 3 4
Bank Conflict:
RP RCD CL Burst
|------|----|------|----------|
1 2 3 4
依照上次存取位置与现在存取的位置的关联性,
有不同长度的Latency,而Latency之後是Burst传输.
每一个cycle都可以传一笔资料,持续N次...(N是多少就是规格了,
SDR,DDR可能是4,8,桌上型DDR2只支援4,而显示卡用的记忆体
可以支援特别长的连续资料传输).
以你的例子来说(只算Page Hit):
: 然後看CPU-Z的表 跑DDR2 533的时候 CL为4 所以总延迟时间=15.04ns
: 最後看DDR2 400 IC速度=5ns
: 那 CL=3 --->3*5 = 15ns
: CL=4 --->4*5 = 20ns
: CL=5 --->5*5 = 25ns
: 看CPU-Z的表 DDR2 400的时候 CL为3 总延迟时间=15ns
: 这样来看的话当记忆体跑DDR2 400的时候延迟时间比DDR2 533来的短(虽然只有0.04ns)
: 是代表效能比较高吗? 可是总觉得这样想怪怪的 是哪里出了问题呢?
: 感觉好像要把除频表纳入考虑 可是我怎麽也连不起来 囧
: 感谢解答
DDR2-533
CL=15ns Burst=3.75x(4-1)=11.25ns
|---------|--------|
因此在26.25ns的时间内,取得了4x64bit大小的资料.
DDR2-400
CL=15ns Burst=5x(4-1)=15ns
|---------|-----------|
在30ns的时间内取得了256bit大小的资料.
前者还是比较快,但是比例不如400:533帐面上的33%.
只快了约15%的时间.
不过要是再考虑...以上是只计算Page Hit,
还是要考虑到:CPU存取记忆体的应用方式不太可能让Page Hit
的比例很高,而不是page hit的时候,提升比例会低很多,加上
cpu上还含有cache....因此低规格的DDR2和高规格的DDR2记忆体
的实际效能差距就会更少.像上面那个例子,要是拿Sissoft Sandra这种
synthesis benchmark测就会将近提升15%,不过换成实际的应用
程式就不知道有没有1.5%了.
但是这个"TRUE LATENCY"还是可以当一个重要的指标.
因为对DRAM而言,true latency的改进是很缓慢的.
据统计约为7% per year.也就是说今年造出来的是
15ns的话,明年大概可以做到14ns.而RP跟RCD可以做到的值
也和这个有正相关,不会出现太极端的偏差.
相比容量的进步之下这个东西的进步速率可以说是牛步.
另外同一串回文有认为两条记忆体可以直接以
true latency的时间比较的....应该说.
true latency低比记忆体能跑更高的burst时脉影响更大.
如果true latency相同,burst时脉较高当然也比较好.
因为在设定的时候只能看到Cycle值.所以需要自己换算
这个true latency的实际时间....以避免提高记忆体频率
的同时错误的设定让true latency变长了.
沿用这个例子作说明,DDR2-533 CL4比DDR2-400 CL3好,
但是如果是DDR2-533 CL5就可能比DDR2-400 CL3差.
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 220.132.36.159
1F:推 novarossi:那只是一个方便的方法 09/18 07:18
2F:推 novarossi:一般消费者不用去懂微处理机里面教的东西 09/18 07:19
3F:推 dkfum:突然想到最近有人把DDR2电到快3V 跑1600... 09/18 07:56
4F:推 f7258:3V? 有的DDR都不一定能电到3V...BH-5还是TCCD才可以这样电.. 09/18 10:28
5F:推 pipi5867:应该是tccd吧 BH5是低CL出名 09/18 10:46
6F:推 dkfum:那位仁兄在XF CBB都有PO 而且是空冷... 09/18 11:12
7F:推 pipi5867:空冷..心脏有大颗-.- 09/18 11:47