98年06月17日(星期三)於「台北文化建國本部」 下午13:00至16:30 (13:00~13:30開始報到) 特邀國外原廠人員來台舉辦《LED 晶粒和元件效能提升電腦輔助工程計算分析軟體》 希望屆時邀請您蒞臨指教! !(名額有限，請儘速報名唷!!) 報名表 http://www.pitotech.com.tw/register/980617-LED.xls 寄回 [email protected] 到時期末考考完的可以去聽看看～ ============================================================================== 課程簡介： LED 產業是政府大力推廣的兆元產值的產業，台灣具有整個完整的產業鏈，從半導體材料 ，晶粒製作和元件封裝測試，到模組建置和應用產品的整合，以內外銷市場堆廣，台灣都 具有很高競爭力，另外LED 更是綠色能源的重要產業，更以LED取代白熾燈的照明商機最 夯。 經濟部能源局也宣布，將在2009年第1季全面淘汰白熾燈泡，採用LED照明，預計2010年起 陸續停產白熾燈，2012年底將全面禁止白熾燈泡。本次研討會主題將討論如何利用STR 軟 體，提升LED發光效率，最佳化LED 的半導體晶粒架構和元件的熱傳效應與電性I-V 模擬 ，以及光追跡的光學模擬計算。 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 課程效益： SimuLED是多尺度的LED建模分析軟體，包含三個分析工具：SiLENSe、SpeCLED與RATRO， 以精確的飄移擴散模型，描述主動區載子傳輸與結合現象，經由歐姆定律分析接觸層的電 流分佈。 SimuLED依據物理定律進行快速模擬，熱傳現象與自發熱效應的能由軟體進行分析。 建議參加對象: ‧欲從事 LED/LD 產業人員 ‧LED/LD 晶粒與元件RD 研發工程師 ‧LED/LD 研究單位 ‧LED/LD 研究生 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ ‧主辦單位：皮托科技股份有限公司 ‧講師簡介：Dr. Mark S. Ramm was borned in 1961, in Leningrad, USSR (Russia) 1984/04 - 1986/04: Research Assistant in Laboratory of Numerical Simulation at the A.F.Ioffe Physical-Technical Institute of RAS, Leningrad, Russia. 1986/04 - 1990/04: Junior Researcher. 1990/04 - 1994/01: Research Scientist. 1994/01 - 2006/04: Senior Researcher 2006/05 - 2008/12: Head of Software Department at Soft-Impact, Ltd., St.Petersburg, Russia 2009/01 - Product Line Manager at STR Group, Ltd., St.Petersburg, Russia. ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 議程： 時間 Agenda 13:00~13:30 報到 13:30~14:00 simuLED 多尺度的LED建模分析軟體 14:00~14:30 SiLENSe 是主動區一維電子/電動注入的漂移擴散分析工具，考慮放射與寄 生非放射結合現象。晶片p-n接面的偏壓與電流密度關係，計算內部量子效率、發射光譜 、異質結構載子分佈等重要特性。是晶粒結構的設計最佳化與虛擬能隙設計工具。 14:30~14:50 Break Time 14:50~15:20 SpeCLED 分析整體晶片的三維電流與溫度分佈，使用SiLENSe的模擬結果來 描述作用區電流，預測遠離主動區的中性接觸層歐姆電性行為 15:20~15:50 RATRO 模擬三維光跡追蹤，分析LED晶粒的光傳播、光吸收與取光現象。使 用SpeCLED產生的LED主動區發光強度資訊，計算光強度分佈、遠場分佈，光萃取率、總發 光量等晶片整體特性 15:50~16:20 範例研究 16:20~16:30 問題討論 --

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