98年06月17日(星期三)於「台北文化建国本部」 下午13:00至16:30 (13:00~13:30开始报到) 特邀国外原厂人员来台举办《LED 晶粒和元件效能提升电脑辅助工程计算分析软体》 希望届时邀请您莅临指教! !(名额有限，请尽速报名唷!!) 报名表 http://www.pitotech.com.tw/register/980617-LED.xls 寄回 [email protected] 到时期末考考完的可以去听看看～ ============================================================================== 课程简介： LED 产业是政府大力推广的兆元产值的产业，台湾具有整个完整的产业链，从半导体材料 ，晶粒制作和元件封装测试，到模组建置和应用产品的整合，以内外销市场堆广，台湾都 具有很高竞争力，另外LED 更是绿色能源的重要产业，更以LED取代白炽灯的照明商机最 夯。 经济部能源局也宣布，将在2009年第1季全面淘汰白炽灯泡，采用LED照明，预计2010年起 陆续停产白炽灯，2012年底将全面禁止白炽灯泡。本次研讨会主题将讨论如何利用STR 软 体，提升LED发光效率，最佳化LED 的半导体晶粒架构和元件的热传效应与电性I-V 模拟 ，以及光追迹的光学模拟计算。 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 课程效益： SimuLED是多尺度的LED建模分析软体，包含三个分析工具：SiLENSe、SpeCLED与RATRO， 以精确的飘移扩散模型，描述主动区载子传输与结合现象，经由欧姆定律分析接触层的电 流分布。 SimuLED依据物理定律进行快速模拟，热传现象与自发热效应的能由软体进行分析。 建议参加对象: ‧欲从事 LED/LD 产业人员 ‧LED/LD 晶粒与元件RD 研发工程师 ‧LED/LD 研究单位 ‧LED/LD 研究生 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ ‧主办单位：皮托科技股份有限公司 ‧讲师简介：Dr. Mark S. Ramm was borned in 1961, in Leningrad, USSR (Russia) 1984/04 - 1986/04: Research Assistant in Laboratory of Numerical Simulation at the A.F.Ioffe Physical-Technical Institute of RAS, Leningrad, Russia. 1986/04 - 1990/04: Junior Researcher. 1990/04 - 1994/01: Research Scientist. 1994/01 - 2006/04: Senior Researcher 2006/05 - 2008/12: Head of Software Department at Soft-Impact, Ltd., St.Petersburg, Russia 2009/01 - Product Line Manager at STR Group, Ltd., St.Petersburg, Russia. ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 议程： 时间 Agenda 13:00~13:30 报到 13:30~14:00 simuLED 多尺度的LED建模分析软体 14:00~14:30 SiLENSe 是主动区一维电子/电动注入的漂移扩散分析工具，考虑放射与寄 生非放射结合现象。晶片p-n接面的偏压与电流密度关系，计算内部量子效率、发射光谱 、异质结构载子分布等重要特性。是晶粒结构的设计最佳化与虚拟能隙设计工具。 14:30~14:50 Break Time 14:50~15:20 SpeCLED 分析整体晶片的三维电流与温度分布，使用SiLENSe的模拟结果来 描述作用区电流，预测远离主动区的中性接触层欧姆电性行为 15:20~15:50 RATRO 模拟三维光迹追踪，分析LED晶粒的光传播、光吸收与取光现象。使 用SpeCLED产生的LED主动区发光强度资讯，计算光强度分布、远场分布，光萃取率、总发 光量等晶片整体特性 15:50~16:20 范例研究 16:20~16:30 问题讨论 --

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