課程名稱︰特用化半導體元件技術 課程性質︰選修 課程教師︰魏拯華 開課學院：電資學院 開課系所︰電機工程學研究所 考試日期（年月日）︰111/6 考試時限（分鐘）：take home 試題 : 1. 碳化矽(SiC)晶圓成長方式主要有哪些？請簡述其原理與優點。 2. 在SiC二極體體中，SBD與PiN相比，各自的優點與缺點為何。 3. 比較600V SiC SBD與Si PiN diode，SiC SBD的主要優點為何？ 4. 為何SiC晶圓可以做出半絕緣基板(semi-insulating)，但是Si晶圓不行？製作半絕緣 SiC的方法有哪些(列2個)？ 5. 何謂polytype？因為SiC有200種以上的polytype，請問要用何種技巧才能達成 單一polytpye 的晶圓與磊晶層成長。 6. SiC的晶體缺陷主要有哪些？哪一些是屬於killer defect? 7. 為何SiC之implantation製程需要在高溫下做植入？ 8. 在一個理想P+/N-結構中，如果要設計崩潰電壓VB＝1200V元件，請問在使用SiC、Si晶圓下， N-區的最高可摻雜濃度以及最低N-磊晶厚度是多少？ 9. 在SiC power MOSFET中，DMOSFET與UMOSFET的主要差異點是為何？ UMOSFET的優點(跟DMOSFET相比)為何？ 10. SiC MOSFET中 channel mobility為何比較差？以閘極絕緣製程來看有無改善方法？有的話簡述。 --

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