课程名称︰特用化半导体元件技术 课程性质︰选修 课程教师︰魏拯华 开课学院：电资学院 开课系所︰电机工程学研究所 考试日期（年月日）︰111/6 考试时限（分钟）：take home 试题 : 1. 碳化矽(SiC)晶圆成长方式主要有哪些？请简述其原理与优点。 2. 在SiC二极体体中，SBD与PiN相比，各自的优点与缺点为何。 3. 比较600V SiC SBD与Si PiN diode，SiC SBD的主要优点为何？ 4. 为何SiC晶圆可以做出半绝缘基板(semi-insulating)，但是Si晶圆不行？制作半绝缘 SiC的方法有哪些(列2个)？ 5. 何谓polytype？因为SiC有200种以上的polytype，请问要用何种技巧才能达成 单一polytpye 的晶圆与磊晶层成长。 6. SiC的晶体缺陷主要有哪些？哪一些是属於killer defect? 7. 为何SiC之implantation制程需要在高温下做植入？ 8. 在一个理想P+/N-结构中，如果要设计崩溃电压VB＝1200V元件，请问在使用SiC、Si晶圆下， N-区的最高可掺杂浓度以及最低N-磊晶厚度是多少？ 9. 在SiC power MOSFET中，DMOSFET与UMOSFET的主要差异点是为何？ UMOSFET的优点(跟DMOSFET相比)为何？ 10. SiC MOSFET中 channel mobility为何比较差？以闸极绝缘制程来看有无改善方法？有的话简述。 --

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