課程名稱︰半導體製程概論 課程性質︰選修 課程教師︰吳乃立 開課學院：化工系 開課系所︰化工系、化工所、奈米科技學程、光機電學程 考試日期（年月日）︰2008/4/21 考試時限（分鐘）：120 是否需發放獎勵金：是 （如未明確表示，則不予發放） 試題 : (1)寫出IC的中、英文全名(5%)? (2)以導電載子濃度的觀點，說明製程中使用之化學原料何以需要求雜質小於ppb之範圍? (5%) (3)解釋IC晶圓製造之摩爾定律(Moore's Law)(5%)? 以該定律預測兩年後PC為處理器的運 算速度為目前的幾倍？(5%) (4)晶圓廠製造技術的兩大技術指標為何？(5%) (5)對於一600步驟的IC製程，若要達到總良率95%，則各步驟平均所必須達到之良率為何 ？(5%) (6)解釋CMP(從Si單晶柱(ingot)製成晶圓(wafer)之間所採行之步驟之一)？(5%) (7)解釋'一級(class 1)'潔淨室的標準(5%). (8)(a)繪出n-MOS之元件截面圖，需註明各部材料與各區極性及電極名稱(5%)。 (b)畫出汲極電壓、電流及閘極電壓三者的關係圖(5%)。 (9)說明半導體用於電致發光(例如 LED)及太陽能發電原理(10%)。 (10)說明晶粒封裝之理由與種類(5%)。 (11)考慮一Si晶圓(晶圓A)含ND(P濃度)=4*10^(15) cm^(-3)， (a)該晶圓為 p 或 n型，電洞與自由電子之密度分別為多少？(5%) (註:在 25 ℃ ，本徵電子濃度 ni=1.45*10^(10) cm^(-3)) (b)另一晶圓(晶圓B)含ND(P濃度)=2*10^(16) cm^(-3)，估算兩晶圓電阻率的比值為 何？(5%) (c)若晶圓A表面再均勻摻雜晶圓B，NA=1*10^(-17) cm^(-3)，則該表面層為 p 或 n 型，電洞與自由電子之密度分別為多少？(5%) (12)說明採用磊晶(epi-)矽薄膜之用途(5%)及其製成(5%) (13)以方程式表示CZ法長單晶製程中相關支個熱傳遞機制(以圖示輔助說明)(10%)。 ※ 編輯: stevenabou 來自: 140.112.5.39 (06/20 21:51)