课程名称︰半导体制程概论 课程性质︰选修 课程教师︰吴乃立 开课学院：化工系 开课系所︰化工系、化工所、奈米科技学程、光机电学程 考试日期（年月日）︰2008/4/21 考试时限（分钟）：120 是否需发放奖励金：是 （如未明确表示，则不予发放） 试题 : (1)写出IC的中、英文全名(5%)? (2)以导电载子浓度的观点，说明制程中使用之化学原料何以需要求杂质小於ppb之范围? (5%) (3)解释IC晶圆制造之摩尔定律(Moore's Law)(5%)? 以该定律预测两年後PC为处理器的运 算速度为目前的几倍？(5%) (4)晶圆厂制造技术的两大技术指标为何？(5%) (5)对於一600步骤的IC制程，若要达到总良率95%，则各步骤平均所必须达到之良率为何 ？(5%) (6)解释CMP(从Si单晶柱(ingot)制成晶圆(wafer)之间所采行之步骤之一)？(5%) (7)解释'一级(class 1)'洁净室的标准(5%). (8)(a)绘出n-MOS之元件截面图，需注明各部材料与各区极性及电极名称(5%)。 (b)画出汲极电压、电流及闸极电压三者的关系图(5%)。 (9)说明半导体用於电致发光(例如 LED)及太阳能发电原理(10%)。 (10)说明晶粒封装之理由与种类(5%)。 (11)考虑一Si晶圆(晶圆A)含ND(P浓度)=4*10^(15) cm^(-3)， (a)该晶圆为 p 或 n型，电洞与自由电子之密度分别为多少？(5%) (注:在 25 ℃ ，本徵电子浓度 ni=1.45*10^(10) cm^(-3)) (b)另一晶圆(晶圆B)含ND(P浓度)=2*10^(16) cm^(-3)，估算两晶圆电阻率的比值为 何？(5%) (c)若晶圆A表面再均匀掺杂晶圆B，NA=1*10^(-17) cm^(-3)，则该表面层为 p 或 n 型，电洞与自由电子之密度分别为多少？(5%) (12)说明采用磊晶(epi-)矽薄膜之用途(5%)及其制成(5%) (13)以方程式表示CZ法长单晶制程中相关支个热传递机制(以图示辅助说明)(10%)。 ※ 编辑: stevenabou 来自: 140.112.5.39 (06/20 21:51)