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※ [本文轉錄自 Electronics 看板 #1Fna2TLb ] 作者: jamtu (月光下的智慧) 看板: Electronics 標題: Re: [問題]設計 OP 的問題 時間: Wed May 30 23:45:31 2012 ※ 引述《bulcas (神采飛揚)》之銘言: : 1. : 我現在再重新做一顆 OP : 先依照直流規格,如 Slew Rate、頻寬,把每顆 MOS 期望的 ID、Vgs、Vds、Vbs 訂好 : 然後把一些可以得到的小訊號參數求出,如 input stage 的 gm 值。 : 然後建一個 model 把相應的 Vgs、Vds、Vbs 灌入,把 L 設定為期望的值, : 把 W 設為變數。 : 然後去掃 DC ,掃到相對應電流的那個 Size 就是我的 W 。 : 想說先這樣把 DC 環境及偏壓定義好,然後最後再來微調小訊號參數讓他符合。 : (本來想要手算的,但是實際 model 跟書本上的那個 model 實在差太多,而且還有 : 一些參數是我不知道的,像是 Un、Up、Cox 這些,想來想去只有這樣的方法...) : 請問這樣做對嗎? 有沒有先進可以跟我分享一下,"實務上"應該要怎麼 tune 一個 : 類比電路? : 因為之前的作法都是 Trial and error,這顆調一下,下一顆又跑掉,反反覆覆, : 很沒效率,而且很難調,常常調來調去最後又回到原點 = = : 2. : 因為我目前這樣的作法,必須要找電流對到的 W 值,想請問有沒有 Hspice 語法, : 可以直接把對應到某個電流值的 W 抓出來? 不然自己對其實有點不準 : 3. : 我用 Discovery AMS 這套軟體掃出來的 W 值可以很接近。 : 但是我用 Analog Design Enviroment 掃出來的值卻是天差地遠。 : 例如實際上應該要是 100u 的,他掃出來卻是 30u ... : 然後把這個 Size 丟進去跑電流又不是他當初掃出來對應到的哪個電流。 : 想請問一下這有可能是什麼問題呢? 非常感謝!!! 你的flow不太make sense。 首先,設計OP你應該先設計current source 比如說你先看SR,假設你需要100uA的第一級電流 那麼假設你給L=5um讓他的ro大一點 並且你假設Vgs吃掉600mV 應該這樣去掃他的W,以滿足這樣的電流 再看看這樣的condition是否有其他的不合理之處 (比如覺得W太大要調高Vgs,覺得Vgs綽綽有餘想省一點電壓) 接著是看input pair的gm,因為他在2-stage OP決定了頻寬gm1/Cc 但是此時你的電流是一個constant,50uA 依照你gm的需求去決定W/L,此時Vgs變成一個被動的參數 假設你很想省電壓達到很大的gm,又不想用太多電流,只好把W/L加大 有個參數很重要,叫gm/Id的ratio gm/Id = 2/Vov 只有在電晶體操作在strong inversion有用 一般來講即便給很大的W/L gm/Id會卡在27左右上不去,不管你的Vov再小甚至是負的 在很大的電流時,也不太可能在限制住的Vgs下讓通道無限寬 gm/Id的ratio必定會下降,自己做個幾次可以去抓那個值 點18如果電晶體是流過靠近uA等級的大概就是先抓20 靠近mA等級就是先抓10 size比較合理 這些都不需要真的去掃,tune個幾次抓個大概就差不多了 假設你動一點點其他就飄掉,表示你的電路不robust 製程稍微歪一點你電路就全死 是不是沒有做CMFB? 調整電流時是否是調整multiplier,而不是W跟L亂try ?? 太著重於要"掃"來找到對應的點是不對的 大的spec決定下來 比如 SR > 10V/us Cc = 10pF GBW = 20MHz CL = 50pF 之類的,你應該能夠從SR去定義第一級的I 從Cc與GBW定義Gm1,try幾個W/L以滿足這樣的值 也要從CL跟GBW能夠定義出Gm2,第二個pole要在多遠,進而去看第二級電流 注意第二級電流也是從第一級mirror過去,你只是調整multiplier看要幾倍 來回幾次,你改的會是gm,I,W/L 比如會不會要把Cc加大把第一個pole推遠一點,省第二級的電 這樣是不是第一級I要更大去滿足loss掉的SR 電壓反而是被動的東西 我上面描述這些應該可以某種程度寫成一個SOP 但是我自己的OP看的是其他東西,設計考量又不一樣 做什麼樣的OP,spec要想清楚再下去調 如果是業界高規格的design,我就無解了 專門做OP有FoM,不過我覺得平常學校做不要太浪費電都還好 穩一點比較實在 Boris Murmann有寫一個tool去optimize two-stage OP 有興趣可以去置底的連結尋找 --



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