各位同學，ch14的檔案已經放置在網頁上， 主機昨天跳電後怪怪的，今天已回復。 另外有同學上次有問一些ch14的問題，想說順便po出來讓大家參考。 1.參雜之半導體的 donor level 跟 acceptor level的部份： 假設今天我們參雜了V族的元素在intrinsic的Si中， 那這些V族元素在能帶上會落於Ei和Ec中， shallow doping來說，就會略小於Ec。 這個位置我們就叫他donor level，反之就是acceptor level。 ( http://140.114.17.97/001.jpg 可參考) 那在 http://140.114.17.97/002.jpg 的b， 表示的就是電子能存在的區域的密度(density of state)， 可以看到Nd就是donor所佔據的位置。 先說明一點就是，電子是在conduction band移動傳導， 電洞是在valance band移動傳導。 所以從圖上可以看到donor的電子只需要一點點的能量 就可以躍遷到conduction band。(一般的室溫提供的熱能就可以達到) 而參雜III族元素的p-type半導體來說，acceptors在略大於Ev的地方， 他們是缺少一個電子的，所以很容易從小於Ev的Si接收受到熱擾動而躍遷上來的電子。 進而在小於Ev的valance band上生成電洞。 2.老師上課中提到minority carriers量雖少，卻很重要： 我們在做電子元件上，就是把p-type跟n-type去做結合，例如p-n junction等， 而minority carriers的重要在於很多的電子元件運作時傳導的是利用少數載子。 這部份牽扯的比較多，比較難簡略的說明，大一只要知道在許多的電子元件中， 少數載子是很重要的就是。詳細的部份在大三的電子材料會有詳細的說明。 有任何問題歡迎寄信或是直接到223室討論。 材導助教　鄭凱元 --

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