各位同学，ch14的档案已经放置在网页上， 主机昨天跳电後怪怪的，今天已回复。 另外有同学上次有问一些ch14的问题，想说顺便po出来让大家参考。 1.参杂之半导体的 donor level 跟 acceptor level的部份： 假设今天我们参杂了V族的元素在intrinsic的Si中， 那这些V族元素在能带上会落於Ei和Ec中， shallow doping来说，就会略小於Ec。 这个位置我们就叫他donor level，反之就是acceptor level。 ( http://140.114.17.97/001.jpg 可参考) 那在 http://140.114.17.97/002.jpg 的b， 表示的就是电子能存在的区域的密度(density of state)， 可以看到Nd就是donor所占据的位置。 先说明一点就是，电子是在conduction band移动传导， 电洞是在valance band移动传导。 所以从图上可以看到donor的电子只需要一点点的能量 就可以跃迁到conduction band。(一般的室温提供的热能就可以达到) 而参杂III族元素的p-type半导体来说，acceptors在略大於Ev的地方， 他们是缺少一个电子的，所以很容易从小於Ev的Si接收受到热扰动而跃迁上来的电子。 进而在小於Ev的valance band上生成电洞。 2.老师上课中提到minority carriers量虽少，却很重要： 我们在做电子元件上，就是把p-type跟n-type去做结合，例如p-n junction等， 而minority carriers的重要在於很多的电子元件运作时传导的是利用少数载子。 这部份牵扯的比较多，比较难简略的说明，大一只要知道在许多的电子元件中， 少数载子是很重要的就是。详细的部份在大三的电子材料会有详细的说明。 有任何问题欢迎寄信或是直接到223室讨论。 材导助教　郑凯元 --

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