作者ckyLu (So what.)
看板NTHU-MSE13
标题[材导]网页已更新(Ch14 ppt)
时间Tue Mar 23 23:03:44 2010
各位同学,ch14的档案已经放置在网页上,
主机昨天跳电後怪怪的,今天已回复。
另外有同学上次有问一些ch14的问题,想说顺便po出来让大家参考。
1.参杂之半导体的 donor level 跟 acceptor level的部份:
假设今天我们参杂了V族的元素在intrinsic的Si中,
那这些V族元素在能带上会落於Ei和Ec中, shallow doping来说,就会略小於Ec。
这个位置我们就叫他donor level,反之就是acceptor level。
(
http://140.114.17.97/001.jpg 可参考)
那在
http://140.114.17.97/002.jpg 的b,
表示的就是电子能存在的区域的密度(density of state),
可以看到Nd就是donor所占据的位置。
先说明一点就是,电子是在conduction band移动传导,
电洞是在valance band移动传导。
所以从图上可以看到donor的电子只需要一点点的能量
就可以跃迁到conduction band。(一般的室温提供的热能就可以达到)
而参杂III族元素的p-type半导体来说,acceptors在略大於Ev的地方,
他们是缺少一个电子的,所以很容易从小於Ev的Si接收受到热扰动而跃迁上来的电子。
进而在小於Ev的valance band上生成电洞。
2.老师上课中提到minority carriers量虽少,却很重要:
我们在做电子元件上,就是把p-type跟n-type去做结合,例如p-n junction等,
而minority carriers的重要在於很多的电子元件运作时传导的是利用少数载子。
这部份牵扯的比较多,比较难简略的说明,大一只要知道在许多的电子元件中,
少数载子是很重要的就是。详细的部份在大三的电子材料会有详细的说明。
有任何问题欢迎寄信或是直接到223室讨论。
材导助教 郑凯元
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※ 编辑: ckyLu 来自: 140.114.230.112 (03/23 23:04)
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