作者jerrychu1211 (感受到 鄉民的正義了~~)
看板NEMS
標題[問題] 請問一般溝槽,TBO是如何做出來的呢
時間Sat May 23 03:28:37 2020
各位先進,
想請教製程問題
某些元件於結構上, 需在溝槽底部做出厚厚一層oxide (俗稱TBO)
有什麼方式, 可以做出此結構呢?
謝謝
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1F：→ jerrychu1211: 就小弟淺顯的瞭解, 一般在8" wafer製程上 05/23 16:29
2F：→ jerrychu1211: 會先沉積SiNx做stop layer,再用HDP-CVD將溝槽填滿 05/23 16:31
3F：→ jerrychu1211: 接著會用CMP回磨oxide,停在SiNx stop layer上 05/23 16:32
4F：→ jerrychu1211: 最後才將SiNx去除, 不過這是8" wafer常用的手法 05/23 16:33
5F：→ jerrychu1211: 若是6"以下, 通常沒有HDP-CVD & CMP的機台 05/23 16:33
6F：→ jerrychu1211: 所以可能須開發其他製程, 才能做到, 故想請教, 謝謝 05/23 16:34
7F：→ jerrychu1211: 抱歉,少說了一段,oxide停在SiNx上,再做etching back 05/24 01:22
8F：→ jerrychu1211: 至所需的TBO厚度, 才會將SiNx去除 05/24 01:23