作者jerrychu1211 (感受到 乡民的正义了~~)
看板NEMS
标题[问题] 请问一般沟槽,TBO是如何做出来的呢
时间Sat May 23 03:28:37 2020
各位先进,
想请教制程问题
某些元件於结构上, 需在沟槽底部做出厚厚一层oxide (俗称TBO)
有什麽方式, 可以做出此结构呢?
谢谢
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 61.231.106.24 (台湾)
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/NEMS/M.1590175719.A.13A.html
1F：→ jerrychu1211: 就小弟浅显的了解, 一般在8" wafer制程上 05/23 16:29
2F：→ jerrychu1211: 会先沉积SiNx做stop layer,再用HDP-CVD将沟槽填满 05/23 16:31
3F：→ jerrychu1211: 接着会用CMP回磨oxide,停在SiNx stop layer上 05/23 16:32
4F：→ jerrychu1211: 最後才将SiNx去除, 不过这是8" wafer常用的手法 05/23 16:33
5F：→ jerrychu1211: 若是6"以下, 通常没有HDP-CVD & CMP的机台 05/23 16:33
6F：→ jerrychu1211: 所以可能须开发其他制程, 才能做到, 故想请教, 谢谢 05/23 16:34
7F：→ jerrychu1211: 抱歉,少说了一段,oxide停在SiNx上,再做etching back 05/24 01:22
8F：→ jerrychu1211: 至所需的TBO厚度, 才会将SiNx去除 05/24 01:23