作者tyrzzz (超級小磨菇)
看板NEMS
標題[問題] RIE 蝕刻底切Si
時間Thu Dec 28 20:37:57 2017
我元件目前是用SiO2當阻擋層
下方是SOI,我想用RIE的undercut特性蝕刻，
SiO2阻擋層寬度為5um,厚度250nm
想把下方Si蝕刻到寬度剩0.7～1um.
我們RIE可以用的氣體為CF4和O2
可調的參數為RF Power/氣體流量/真空最極限約為50mTorr.
查到資料是說CF4:O2=4:1時，Si和SiO2有最佳選擇性.但我實驗後結果不佳，且左右側蝕
的沒有很平均，且SiO2阻擋效果不佳.
想問問有沒有人可以提供想法.
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1F：推 sunchloveann: CF4吃二氧化矽阿 01/02 12:22
2F：推 sunchloveann: 你應該用SF6吃矽才對 01/02 12:23
3F：推 john0921401: CF4算是甚麼都會吃吧 用SF6或HBr吧 04/22 19:46