作者tyrzzz (超级小磨菇)
看板NEMS
标题[问题] RIE 蚀刻底切Si
时间Thu Dec 28 20:37:57 2017
我元件目前是用SiO2当阻挡层
下方是SOI,我想用RIE的undercut特性蚀刻，
SiO2阻挡层宽度为5um,厚度250nm
想把下方Si蚀刻到宽度剩0.7～1um.
我们RIE可以用的气体为CF4和O2
可调的参数为RF Power/气体流量/真空最极限约为50mTorr.
查到资料是说CF4:O2=4:1时，Si和SiO2有最佳选择性.但我实验後结果不佳，且左右侧蚀
的没有很平均，且SiO2阻挡效果不佳.
想问问有没有人可以提供想法.
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1F：推 sunchloveann: CF4吃二氧化矽阿 01/02 12:22
2F：推 sunchloveann: 你应该用SF6吃矽才对 01/02 12:23
3F：推 john0921401: CF4算是甚麽都会吃吧 用SF6或HBr吧 04/22 19:46