作者fireterry (火烤泰瑞)
看板NEMS
標題[問題] SU8剝離與氧化矽作為犧牲層
時間Thu Apr 20 11:16:36 2017
大家好,
首次發文想請教大家,
目前參考此篇文獻
http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0960-1317/14/2/006
使用Si wafer作為模
SiO2 作為犧牲層 （約700nm)
Si3N4 作為主體 （約800nm)
在nitride上做了一些pattern 後,
以SU8 100 做Handle （大於200 um ）
之後泡入BOE 6:1希望移除SiO2犧牲層而release 整個nitride上的結構。
目前遭遇問題是：
1.SU8在BOE中會與nitride 剝離，但SU8本身並沒有被蝕刻,若是在塗布SU8前先上一層HMDS或PMMA會有幫助嗎？
2.nitride 主體的尺寸為3400*1600 um,
這樣要移除下方SiO2犧牲層是否要很久,
還是其實會藉著毛細現象而加快速度？
以上,
麻煩大家指點一下了,
卡關一陣子了....
謝謝
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1F：推 funkeinstein: PMMA可能有點幫助, 上光阻前表面清潔處理可能有幫助 04/24 01:14
2F：→ funkeinstein: Nitride不開release hole大概吃不完 04/24 01:15
3F：→ funkeinstein: 直接用VHF可能可以解決你的問題 04/24 01:17