作者fireterry (火烤泰瑞)
看板NEMS
标题[问题] SU8剥离与氧化矽作为牺牲层
时间Thu Apr 20 11:16:36 2017
大家好,
首次发文想请教大家,
目前参考此篇文献
http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0960-1317/14/2/006
使用Si wafer作为模
SiO2 作为牺牲层 （约700nm)
Si3N4 作为主体 （约800nm)
在nitride上做了一些pattern 後,
以SU8 100 做Handle （大於200 um ）
之後泡入BOE 6:1希望移除SiO2牺牲层而release 整个nitride上的结构。
目前遭遇问题是：
1.SU8在BOE中会与nitride 剥离，但SU8本身并没有被蚀刻,若是在涂布SU8前先上一层HMDS或PMMA会有帮助吗？
2.nitride 主体的尺寸为3400*1600 um,
这样要移除下方SiO2牺牲层是否要很久,
还是其实会藉着毛细现象而加快速度？
以上,
麻烦大家指点一下了,
卡关一阵子了....
谢谢
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1F：推 funkeinstein: PMMA可能有点帮助, 上光阻前表面清洁处理可能有帮助 04/24 01:14
2F：→ funkeinstein: Nitride不开release hole大概吃不完 04/24 01:15
3F：→ funkeinstein: 直接用VHF可能可以解决你的问题 04/24 01:17