各位板上前輩好 有個實驗上的問題在這邊跟各位請教 我的結構是在wafer上長Cr/Cu/Ti/SiO2/Ti 利用摳曝顯曝出我要的洞後蝕刻Ti/SiO2/Ti,接著電鍍銅柱,再洗掉光阻 接下來的製程我需要把最外層的Ti蝕刻掉留下SiO2當作我的保護層 但我目前蝕刻會連續時刻掉Ti/SiO2/Ti三層, 想請問有沒有只蝕刻Ti而不蝕刻SiO2的方法？ ps:會一開始在外圍上Ti的原因是因為我們採用的光阻是乾膜,為了有良好的均厚,而SiO2 與乾膜的接合能力太差,也有想過改成Cr,但是Cr的蝕刻我是利用版上前輩提供的稀鹽酸 並利用Al片催化的方式,而在盲孔中我沒辦法使用接觸式蝕刻Cr. 謝謝大家 --

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