各位板上前辈好 有个实验上的问题在这边跟各位请教 我的结构是在wafer上长Cr/Cu/Ti/SiO2/Ti 利用抠曝显曝出我要的洞後蚀刻Ti/SiO2/Ti,接着电镀铜柱,再洗掉光阻 接下来的制程我需要把最外层的Ti蚀刻掉留下SiO2当作我的保护层 但我目前蚀刻会连续时刻掉Ti/SiO2/Ti三层, 想请问有没有只蚀刻Ti而不蚀刻SiO2的方法？ ps:会一开始在外围上Ti的原因是因为我们采用的光阻是乾膜,为了有良好的均厚,而SiO2 与乾膜的接合能力太差,也有想过改成Cr,但是Cr的蚀刻我是利用版上前辈提供的稀盐酸 并利用Al片催化的方式,而在盲孔中我没办法使用接触式蚀刻Cr. 谢谢大家 --

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