作者sunchloveann (北微戰神)
標題Re: [問題] 如何利用兩層光阻去製作銅柱?
時間Fri May 20 11:02:31 2016
※ 引述《sean25059199 (appleisgood)》之銘言:
: 我想在銅塊跟銅塊中間有光阻或其他阻擋層當作insulation layer, 但是不知道要選擇
: 哪種光阻材料當做第一層的insulation layer(只要很薄1-2um以下都可)?
: 請問有人有經驗能給點建議嗎?
我之前做過鎳電鑄,所用的犧牲層光阻是正光阻S1813(它的厚度就是1.3~1.8um)
能耐熱的溫度大約為120度,超過就會不好去除
但如果你是不希望他被去除,我之前有做過reflow 把光阻烤到200多度
他就固化了,連硫酸+雙氧水都去除不了.........供您參考
: 我的製程是先在Si wafer先sputter Cr/Cu種子層,然後在上第一層光阻或其他阻擋層
: (只要不會上鍍都可以, 只需要1-2um就可以或更少也可以)先做出pattern, 然後再上第二
: 層光阻 (我想要用的是厚dry film光阻~約15um, 這個已經有購買且有做出來過) 然後再做
: 出一樣的pattern, 接下來在電鍍銅塊, 然後用1%NAOH泡一下下就可以把第二層乾膜光阻
: 給洗掉, 剩下就是電鍍出的銅塊, 以及第一層的光阻或其他阻擋層在銅塊與銅塊之間去做
: 阻絕層,我現在不知道要使用什麼光阻去當做第一層的insulation layer阻擋層, 這層阻擋層
: 希望要永久保留住, 能抗溫最好, 不會被第二層的去光阻液體(1%NAOH)給攻擊, 請問能給
: 我點意見要用什麼當做第一層的阻擋層嗎?以及哪裡可以購買嗎?
: 謝謝
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